Plasma-verstärkte chemische Gasphase-Ablagerung (PECVD)

1. Flexible Ablagerungsfähigkeit

·Ablagerungsprozess auf Siliziumbasis -Oxide, Nitridide, Nitrogenoxyde, Silizium (a-Si),Siliziumkarbid (SiC）

·Forschung und Entwicklung

·Prototypierung

·Kleinserienproduktion -Photonik,FestkörperleuchtungundMEMSund Nanotechnologie

·Anwendungsbereiche: Zwischenschichtdämmungsschicht, Passivierungsschicht, Verpackungsschicht, Maskenschicht, Antireflexschicht

2. Leistungswert

1. Große Größe manuelle Ladestation(406mm)

2. Ausgezeichnete Sauberkeit

3. HochGleichmäßigkeit

4.Hoher Durchsatz

5. Zuverlässige Software

6.Kleine Fläche

7.Kosteneffektiv

8.Einfach zu warten

9.Einsatz von Industriekopfkomponenten

3. Verifizierte Lösungen

· FortgesetztPTI 790/790+Designkonzept

oderManuelle Beladung ohne Lastversperrung (Batch- oder Single-Chip-Wafer unterstützt)

oderMehr als installiert400System

oderEinfache Technik, robuste Struktur Wettbewerbsfähige Preise, zuverlässige Qualität

Kleine Fläche, Platz sparend