Plasma-verst?rkte chemische Gasphase-Ablagerung (PECVD)

1. Flexible Ablagerungsfähigkeit

·Ablagerungsprozesse auf Siliziumbasis - Oxide, Nitridide, Nitroxide, Nichtkristallines Silizium (a-Si),Siliziumkarbid (SiC）

·Forschung und Entwicklung

·Prototypierung

·Kleinserienproduktion -Photonik, FestkörperleuchtungundMEMSund Nanotechnologie

·Anwendungsbereiche: Zwischenschichtdämmungsschicht, Passivierungsschicht, Verpackungsschicht, Maskenschicht, Antireflexschicht

2. Leistungswert

1. Große Größe manuelle Ladestation(406mm)

2. Ausgezeichnete Sauberkeit

3. Hohe Gleichmäßigkeit

4. Hoher Durchsatz

5. Zuverlässige Software

6. Kleine Fläche

7. Kosteneffektiv

8.Einfach zu warten

9.Einsatz von Industriekopfkomponenten

3. Verifizierte Lösungen

· Umfangreiche „Schlüsselfertige“ Prozesse

· Hohe Filmgleichmäßigkeit durch optimierte Sprühkopfe

Hohe Nutzungsstandards und Zuverlässigkeit - Einsatz von Tier I-OEM-Komponenten, schnelles Vakuumpumpen, optionale Endpunktprüfung vor Ort, um übermäßige Reinigung zu vermeiden

• Anerkennter Service und Support

· Spannungskontrolle durch Niederfrequenz- oder Heliumverdünnung