12 Zoll mit Vakuumkörfer

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12 Zoll mit Vakuum-Frühofen, mit Multi-Temperatur-Zone-Temperaturregelung, die Temperaturgleichmäßigkeit über die APP-Schnittstelle einstellbar ist. Ein ausgezeichnetes Lichtkühlsystem gewährleistet eine Lebensdauer der Lichtquelle auf internationalem Niveau. Die wissenschaftliche Wellenlängenverteilung sorgt dafür, dass Halbleitermaterialien effektiv absorbiert werden können.

Produktdetails

12 Zoll mit Vakuumkörfer

1.Temperaturbereich:150–1,300℃；

2.Erwärmungsgeschwindigkeit:1-200℃/Sekunden einstellbar;

3.Temperaturgleichmäßigkeit: ±5℃（200mm Wafer 1015℃）；

4.Probengröße:12Zoll oder300×300 mm(Temperaturregelung);

5.Steuerungssoftware-Hardware: Selbstentwicklung der Systemsoftware, UnterstützungSEMIAutomatisierungsstandards,SECS/GEMKommunikationsschnittstelle; Programmierbarer Temperaturkurvenspeicher500Artikel über,Jede Kurve umfasst50Die oben genannten Daten können als Textdateien exportiert werden, um die Datenverarbeitung zu erleichtern.

6.降温速率：80℃/Sekunden (Schnellkühlung optional, Abkühlungsrate)200℃/Sekunden);

7.Temperatureinstellungsbereich:100-1,300℃, einstellbar für jeden Zeitraum1- 30,000Sekunden;

8.Temperaturüberschreitung: <5℃；

9.Temperaturmesssystem:KTyp Thermoelement, Doppelpunkt-Temperaturmessung (optische Temperaturmessung ist optional);

10.Kühlsystem:CDAWasser kalt;

11.Temperaturgenauigkeit: ±0.3℃；

12. PIDTemperaturregelung:PIDTemperaturregelung, kann bei der Erwärmungsgeschwindigkeit noch nicht übertrieben werden;

13.Isolationszeit:1200℃ Wärmedauer600Sekunden;

14.Stabilität bei Temperatur: ±1℃；

15.Prozessgaswege:2StraßeMFC(maximal auswählbar)6Straße);

12 Zoll mit Vakuumkörfer Anwendungsbereiche:
Siliziumbasierte Halbleiterprozesse der 3. und 4. Generation (RTP, RTA, RTO, RTN)
Eisenwerkstoffforschung
Dünnfilmspannungsregelung
Fertigung von integrierten Schaltungen
Wärmebehandlung vor der Prüfung der Materialeigenschaften, thermische Vibrationsexperimente
CMOS Prozessoptimierung
Doping-Aktivierung (Abbrennen nach Ioneninjektion)
Ohm-Kontakthitzung (metallisiertes Hitzen)
Oxidation/Nitrifizierung
Wärmebehandlung mit hohem K-Medium
Silizium Oberflächenbehandlung
Herstellung von Solarzellen
Phasenwechselnde Materialbehandlung
Dünnfilmspannungsregelung
Kornwachstum und Kristallisierung
Thermische Stabilitätsstudien für neue Materialien
Bearbeitung von MEMS-Geräten
Bearbeitung von Nano-Geräten

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