Wafer-Verdrehspannungsmessgerät

Vorteile

√ Gleichmäßige Messung des gesamten Kalibers mit minimalem Probenabstand0,1 mm

√ Verformungsmessung und Spannungsmessung

√ Intuitive Darstellung der Wafer-Veränderungen, die durch die Dünnfilm verursacht werden, können Krümmung und Spannung in beliebigen Winkeln berechnet werden

√ * Zusatzmodul: Modul zur Messung der Dünnfilm-Spannung(Raumtemperatur bis500℃）

√ umfangreiche Software-Analysefunktionen, einschließlich: dreidimensionale Verzerrungsdiagramme, Wafer-Verzerrungsparameterstatistik (BOW，WARPusw.),Der ROIMinuten Analyse, Folienspannung und -verteilung, Spannungsänderungen im Laufe der Zeit, Messung von Folienspannungsveränderungen, Krümmungsberechnung, Polynomialpassung, Raumfilterung und viele andere Nachbehandlungsalgorithmen.

Anwendbares Objekt

2-8 Zoll/12 Zoll polierte Wafer (Silizium, Galliumaransid, Siliziumkarbid usw.), Grafikwafer, Bindungswafer, Verpackungswafer usw.;Flüssigkristallglas; Oberflächenbehandlung durch verschiedene Folienprozesse

Anwendungsbereiche

√ Herstellung und Qualitätskontrolle von Halbleitern und Glaswafers

√ Forschung und Entwicklung von Halbleiterfilmprozessen

√ Prozesssteuerung und Fehleranalyse für Halbleiterprozesse und Verpackungsverdünnungsprozesse

Prüfprinzip

√ Der Wafer-Prozess wird wiederholt auf der Wafer-Oberfläche abgelegt, und die Unterschiede zwischen den Eigenschaften des Substrats und des Film-Materials führen zu einer Wafer-Verzerrung, Verzerrung und DünnungMembranspannungen haben einen wichtigen Einfluss auf die Prozessleistung

√ Messung der dreidimensionalen Verzerrungsverteilung des Wafers mit der Methode der strukturellen Reflexionsbildgebung und Berechnung der Dünnfilmspannung durch Messung des VerzerrungsradiumsStoff, mit berührungslosen, mechanischen Scan- und hohen Probenraten, die Messzeit für den gesamten Wafer-Kaliber ist weniger als30er Jahre

√ DurchStoneyFormeln und verwandte Modelle zur Berechnung der Spannungsverteilung der Wafer-Folie

Wafer-Verdrehspannungsmessgerät