Wafer-Bindemaschine

EVG der 810 LT LowTemp™ Plasmaaktivierungssystem

EVG 810LT LowTemp™Plasmaaktivierungssystem

geeignet fürSOI，MEMSKryotemperatur-Plasma-Aktivierungssystem für Verbindungen Halbleiter und fortgeschrittene Substratbindung

Technische Daten

EVG810 LT Niedrigtemperatur™ Das Plasmaaktivierungssystem ist eine einheitliche, unabhängige Einheit mit manueller Bedienung. Die Behandlungskammer erlaubt eine heterotope Behandlung (Wafer wird aktiviert und außerhalb der Plasmaaktivierungskammer gebunden).

Eigenschaften

Oberflächenplasma-Aktivierung für die Tieftemperaturbindung (Schmelze)/Molekulare und Zwischenschichtbindung)

Wafer-Bindemaschinein der HerstellungZuiSchnelle Dynamik

Kein nasser Prozess erforderlich

Niedrigtemperatur (ZuiHoch400°C(unter)ZuiHohe Haftfestigkeit

geeignet fürSOI，MEMSVerbindungen für Halbleiter und Fortgeschrittene Substrate

Hohe Materialkompatibilität (einschließlichCMOS）

EVG810 LTTechnische Daten

Wafer Durchmesser (Plattengröße):50-200、100-300Millimeter

LowTemp™ Plasmaaktivierungsraum

Prozessgas:2Standardprozessgase (N2undO2）

Universaler Massenflussregler: Selbstkalibrierung (bis zu20.000 sccm）

Vakuumsystem:9x10-2 mbar

Öffnung der Kammer/Schließen: Automatisierung

Ladung der Kammer/Deinstallieren: manuell/Unterplatte auf dem Ladestift platziert)

Optionale Funktionen

Scheiben für verschiedene Wafer-Größen

Metallfreie Ionenaktivierung

Andere Prozessgase für Mischgase

Hochvakuumsysteme mit Turbinenpumpen:9x10-3 mbarGrunddruck

ÜbereinstimmenLowTemp™ Materialsystem für Plasmaaktivierung

Sie：Si / Si，Si / Si(Wärmeoxidation,Sie(Wärmeoxidation)/ Si(Wärmeoxidation)

TEOS / TEOS(Wärmeoxidation)

Isolator Germanium (GeOIvon)Si / Ge