Wafer-Bindemaschine

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Wafer Binder eignet sich für niedrige Temperatur Plasmaaktivierungssysteme für SOI, MEMS, Verbindungshalbleiter und fortgeschrittene Substratbindung; Technische Daten: EVG810 LT LowTemp amp; amp; trade; Das Plasmaaktivierungssystem ist eine einheitliche, unabhängige Einheit mit manueller Bedienung. Die Behandlungskammer erlaubt eine heterotope Behandlung (Wafer wird aktiviert und außerhalb der Plasmaaktivierungskammer gebunden).

Produktdetails

EVG 850 LT

Automatisiertes Produktionsverbindungssystem für SOI- und Direktwafer-Verklebung

Automatisiertes Fertigungsbindungssystem für EVG 850LT SOI und direkte Wafer-Bindung

Automatisiertes Fertigungsbindungssystem für eine Vielzahl von Fusions-/Molekularwafer-Bindungsanwendungen

Wafer-Bindung ist eine Schlüsseltechnologie für den SOI-Wafer-Herstellungsprozess sowie die Wafer-Ebene-3D-Integration. Automatisiertes Herstellungsbindungssystem mit EVG850 LT für die mechanische Ausrichtung von SOI und mit LowTemp ™ Die direkte Wafer-Bindung durch Plasmaaktivierung vereint alle grundlegenden Schritte der Schmelze - von der Reinigung, Plasmaaktivierung und Ausrichtung bis zur Vorbindung und IR-Inspektion -. Daher gewährleistet der praxisbewährte Industriestandard EVG850 LT einen hohen Durchsatz und einen hohen Produktionsprozess für raumfreie SOI-Chips mit einer Größe von bis zu 300 mm.

　　Eigenschaften

LowTemp von EVG ™ Plasmaaktivierungstechnologie für SOI und direkte Wafer-Bindung

Geeignet für verschiedene Fusions- / Molekularwafer-Bindungsanwendungen; Produktionssysteme können in hohen Durchsatz- und Produktionsumgebungen betrieben werden

Automatische Bedienung von Box zu Box (Fehler-Ladung, SMIF oder FOUP); Verschmutzungsfreie Rückbehandlung

Überschallgeschwindigkeit und / oder Bürstenreinigung; Vorklebung für mechanische Gleichstellung oder Spaltausrichtung

Fortgeschrittene Ferndiagnostikdaten

Wafer Durchmesser (Plattengröße) 100-200, 150-300 mm

Vollautomatischer Box-to-Box-Betrieb

Vorkleberraum

Ausrichtungstyp: Ebene zu Ebene oder Ausnehmung zu Ausnehmung

Ausrichtungsgenauigkeit: X und Y: ±50 µm, θ: ±0,1°

Bindekraft: Zui Höhe 5 N

Anfangsposition der Bindungswelle: Flexibel vom Wafer-Rand bis zur Mitte

Vakuumanlagen: 9x10-2 mbar (Standard) und 9x10-3 mbar (Turbopumpe-Option)

LowTemp ™ Plasmaaktivierungsmodul

2 Standard-Prozessgase: N2 und O2 sowie 2 andere Prozessgase: Hochreinheitsgas (99,999%), seltene Gase (Ar, He, Ne usw.) und Synthesegas (hoher Gehalt an N2, Ar und H4)

Universaler Massenflussregler: Zui kann bis zu 4 Prozessgase selbst kalibrieren, Rezepturen programmieren, bis zu 20.000 sccm

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