Siliziumkarbid SiC Langkristall Ausrüstung

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Siliziumcarbid SiC Langkristall Ausrüstung $ r $ n ist eine professionelle Ausrüstung für das Wachstum von hochwertigen SiC-Kristallen, die Synthese von hochreinen Rohstoffen und die Wärmebehandlung von Hochtemperaturkristallen. Weit verbreitet im Bereich des SiC-Kristallwachstums, der Rohstoffsynthese und der Kristallwärmebehandlung. Es können 6/8-Zoll-Glieder angebaut werden.

Produktdetails

Siliziumkarbid SiC Langkristall Ausrüstung

Hohe Qualität erreichenSiCProfessionelle Ausrüstung für das Kristallwachstum, die Synthese von hochreinen Rohstoffen und die Wärmebehandlung von Hochtemperaturkristallen. weit verbreitet inSiCBereich Kristallwachstum, Rohstoffsynthese, Kristallwärmebehandlung. Es können 6/8-Zoll-Glieder angebaut werden.

Siliziumkarbid SiC Langkristall Ausrüstung

碳化硅SiC长晶设备

Das Vakuum-Ofensystem ist begrenzt auf den Grundvakuumwert ≤5.0E-5Pa, die Drucksteigerung ≤3Pa / 12h, um die Stabilität des Kristallwachstums zu gewährleisten

Intelligentes Wachstums- und Überwachungssystem, um eine Vielzahl von Prozessen präzise anzupassen, Prozessoptimierung, Echtzeitüberwachung des gesamten Prozesses mit Langkristallen und Datenvisualisierung

Neues Design der Induktionsheizungsspule verbessert effektiv die Gleichmäßigkeit und Stabilität der Wärmefeldbeheizung
Das erste PIM-Selbstprüfungssystem in der Branche, effektive MinderungProzesszeitverschwendung
Stabiles und zuverlässiges Wasserkühlsystem für WasserwegeEchtzeitüberwachung der Rohrtemperatur und des Durchflusses, um die Stabilität des Wachstumsraummertemperaturfeldes zu gewährleisten
6 Zoll P-Klasse Siliziumkarbid Substrate, MikrorohreMängeldichte <0,5 Stück/cm²Widerstand von 0,015 bis 0,0280

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