Fokussiertes Ionenstrahl- und Scan-Elektronenmikroskop – FIB-SEM

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ZEISS Crossbeam verbindet die leistungsstarke Bild- und Analyseleistung der FE-SEM-Spiegel mit der ausgezeichneten Bearbeitungsfähigkeit der neuen Generation von Fokussierten Ionenstrahlen (FIB). Ob für Schneiden, Bildgebung oder 3D-Analysen – die Crossbeam-Serie verbessert Ihr Anwendungserlebnis erheblich.

Produktdetails

Speziell für hohe Durchflusse3DMaßgeschneiderte Analyse und ProbenvorbereitungFIB-SEMZEISS Crossbeam verbindet die leistungsstarke Bild- und Analyseleistung der FE-SEM-Spiegel mit der ausgezeichneten Bearbeitungsfähigkeit der neuen Generation von Fokussierten Ionenstrahlen (FIB). Ob für Schneiden, Bildgebung oder 3D-Analysen – die Crossbeam-Serie verbessert Ihr Anwendungserlebnis erheblich. Mit dem Elektronenoptiksystem Gemini können Sie echte Probeninformationen aus Scan-Elektronenmikroskopbildern (SEM) erhalten. Ion-sculptor FIB-Spiegel führt eine völlig neue FIB-Bearbeitungsmethode ein, die Probenschäden reduziert, die Probenqualität verbessert und damit den Experimentsprozess beschleunigt.

Ob für Forschungseinrichtungen oder industrielle Labore, Single-User-Labore oder Multi-User-Experimente, wenn Sie qualitativ hochwertige, einflussreiche Experimenterergebnisse erzielen möchten, ermöglicht Ihnen das modulare Plattformdesign von ZEISS Crossbeam jederzeit die Aktualisierung Ihres Instrumentensystems nach Ihren Bedürfnissen.

Technische Parameter:

	Zeiss Crossbeam 350	Zeiss Crossbeam 550
Scan-Elektronenmikroskop (SEM)	Gemini I Spiegel	Gemini II Spiegel
	Variable Luftdruckoptionen	Optional Tandem Decel
	Elektronenstrom: 5 pA – 100 nA	Elektronenstrom: 10 pA – 100 nA
Fokussierte Ionenstrahlen (FIB)	Auflösung: 3 nm @ 30 kV (statistische Methode)	Auflösung: 3 nm @ 30 kV (statistische Methode)
Fokussierte Ionenstrahlen (FIB)	Auflösung: 120 nm bei 1 kV und 10 pA (optional)	Auflösung: 120 nm bei 1 kV und 10 pA
Detektoren	Inlens SE, Inlens EsB, VPSE (Variable Pressure Secondary Electronic Detector), SESI (Secondary Electronic Secondary Ion Detector), aSTEM (Scanning Transmission Electronic Detector), aBSD (Backscatter Detector)	Inlens SE, Inlens EsB, ETD (Everhard-Thornley-Detektor), SESI (Sekundäre Elektronen-Sekundäre Ionen-Detektor), aSTEM (Scan-Transmission-Elektronen-Detektor), aBSD (Rückstreuungsdetektor) und CL (Katodenfluorescenzdetektor)
Musterlagerspezifikationen und Ports	Standardprobenlager mit 18 konfigurierbaren Schnittstellen	Standard-Probelager mit 18 konfigurierbaren Schnittstellen / Großes Probelager mit 22 konfigurierbaren Schnittstellen
Laststelle	X / Y = 100 mm	X/J = 100 mm / X/J = 153 mm
	Z = 50 mm, Z' = 13 mm	Z = 50 mm, Z' = 13 mm / Z = 50 mm, Z' = 20 mm
	T = -4° bis 70°, R = 360°	T = -4° bis 70°, R = 360° / T = -15° bis 70°, R = 360°
Ladungssteuerung	Elektronische Strahlpistole	Elektronische Strahlpistole
	Lokale Ladungsneutralisierer	Lokale Ladungsneutralisierer
	Variablen Druck	-
Gas	Einkanalige Gaseinspritzsysteme: Pt, C, SiOx, W, H2O	Einkanalige Gaseinspritzsysteme: Pt, C, SiOx, W, H2O
Gas	Mehrkanalige Gaseinspritzsysteme: Pt, C, W, Au, H2O, SiOX, XeF2	Mehrkanalige Gaseinspritzsysteme: Pt, C, W, Au, H2O, SiOX, XeF2
Speicherauflösung	32 k × 24 k (mit optionalem ATLAS 5 3D-Tomografiemodul bis zu 50 k × 40 k)	32 k × 24 k (mit optionalem ATLAS 5 3D-Tomografiemodul bis zu 50 k × 40 k)
Optionales Analysebehörig	EDS、EBSD、WDS、SIMS， Bei Bedarf können weitere Optionen angeboten werden.	EDS、EBSD、WDS、SIMS， Bei Bedarf können weitere Optionen angeboten werden.
Vorteile	Durch variable Druckmuster und umfangreiche In-situ-Experimente kann die Probenkompatibilität erheblich erweitert werden.	Analyse und Bildgebung mit hohem Durchsatz und hoher Auflösung unter allen Bedingungen.

聚焦离子束和扫描电子显微镜 – FIB-SEM

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