Tiefe Siliziumgrabmaschine

1.Produktübersicht:

HSE M200 wird hauptsächlich für 4/6/8 Zoll tiefe Silizium-Trockengegravierungsprozesse verwendet. Manuelle und automatische Übertragungssysteme können konfiguriert werden. Das Produkt verfügt über eine hochdichte binäre Plasmaquelle, einen zentralen Randeingang, einen schnellen Gaswechsel und ein Elektrodensystem unter niedrigen Frequenzimpulsen, das eine hohe Geschwindigkeit, ein hohes Tiefenverhältnis, eine hohe Gleichmäßigkeit und eine minimale Seitenwandrauheit erreichen kann. Der HSE P300 wird hauptsächlich für 12-Zoll-Siliziumgrabungen verwendet. Mit dem Layout der Cluster-Struktur können Sie die Fläche reduzieren und die Produktionskapazität erhöhen. Das System besteht hauptsächlich aus Übertragungsmodulen, Prozessmodulen, Grauzone-Komponenten, Stromschränken usw. Automatisierte Bodenbelage und automatisierte Prozesse sind möglich.

2.GerätAnwendung：

HSE M200

Wafer Größe:

8Zoll und unter

Anwendungsmaterial:

Silizium,SOI、SOG

Anwendungsverfahren:

Tiefe Siliziumgrabung

Anwendungsbereiche:

Mikromechanische Systeme, Forschungsbereiche

HSE P300

Wafer Größe:

8/12Zoll kompatibel

Anwendungsmaterial:

Silizium, Siliziumoxid, Siliziumnitrid

Anwendungsverfahren:

Tiefgräbung, Tieflochgräbung, Siliziumträgergräbung, Kupfergräbung usw.

Anwendungsbereiche:

Fortgeschrittene Verpackung

3. Ausrüstungsmerkmale

HSE M200

Doppelte Plasmaquellen und Doppelzonen-Einluftung für hohe Gravurgleichheit und hohe Gravurgeschwindigkeit

Kompatibilität, Vielfalt an Prozessen, breite Anwendungsbereiche und hohe Systemzuverlässigkeit

Flexible Systemkonfiguration für verschiedene Anwendungen in Forschung und Entwicklung, Mittel- und Massenproduktionslinien

Niedrige Eigentums- und Betriebskosten

HSE P300

Steigerung der Erosionsrate durch Stereo-Plasmaquellen mit hoher Dichte

Doppelte Plasmaquelle und doppelte Zoneneinsaug für hohe Gleichmäßigkeit

Vollautomatisierte Softwaresteuerung mit hoher Produktivität

Niedrige Eigentums- und Betriebskosten