Komm schon! LCPLN50XIR und 100XIR Infrarotobjektive

Komm schon! LCPLN50XIR und 100XIR Infrarotobjektive

Komm schon! LCPLN50XIR und 100XIR Infrarotobjektive

Olympus Infrarot Objektive

5X/10X/20X/50XIR Infrarotobjektive

Für die Industrie

Metallurgie, Halbleiter, Luftfahrt usw.

Die Olympus LCPLN50XIR und LCPLN100XIR sind Mikroskopiobjektive, die speziell für die spektrale Beobachtung im Nahen Infrarot (NIR) entwickelt wurden und hauptsächlich in Bereichen wie Halbleiter, Elektronikherstellung und industrielle Metallurgie für die beschädigungsfreie Prüfung von Siliziumswafer-Innenstrukturen, IC-Chips und anderen Materialien eingesetzt werden. ‌34

‌1. Kerntechnologie und Designmerkmale‌

00001. ‌Nahe InfrarotbeobachtungsfähigkeitBeide Objektive sind für nahe-infrarotes Licht mit einer Wellenlänge von 700-1300 nm optimiert und verfügen über eine hohe Durchlässigkeit, die in Materialien wie Silizium eindringen kann, um eine nicht-destruktive Beobachtung der Wafer-inneren Struktur, Bindungslinien oder Mängel zu ermöglichen. ‌38

00002. ‌Verstellbarer KorrekturkringDies ist das Kernzeichen der LCPLN-IR-Serie. Das Objektiv ist mit einem Korrekturring ausgestattet, der die Differenzkorriktur von Abdeckungsmaterialien mit unterschiedlicher Dicke wie Glas oder Siliziumschichten ermöglicht, um bei der Beobachtung verschiedener Proben eine hohe Auflösung und einen hohen Kontrast zu erhalten. ‌34

· ‌Glasdickenkorrekturbereich‌： 0 - 1.2mm（50X）； 0 - 0.7mm（100X）。 ‌34

· ‌Siliziumdickenkorrikturbereich‌： 0 - 1.2mm（50X）； 0 - 1.0mm（100X）。 ‌34

00003. ‌Unbegrenzte Fernoptik: Die optische Konstruktion mit unendlicher Fernkorrektur ist kompatibel mit dem Standard der unendlichen Fernmikroskop-Optik. ‌12

00004. ‌Hauptoptische Parameter vergleichen‌

‌II. Anwendungsvorteile‌

00001. ‌Verbesserte PräzisionDie hohe numerische Apertur in Kombination mit der Differenzkorriktur ermöglicht eine hohe Auflösung und Bildkontrast im nahen Infrarotband, um die mikroskopischen Details im Inneren des Materials klar zu zeigen. ‌89

00002. ‌Verbesserte AnpassungsfähigkeitDas Korrekturkringdesign ermöglicht es dem gleichen Objektiv, sich an Wafer unterschiedlicher Prozessprozesse oder Proben mit unterschiedlicher Dicke zu anpassen, um ein klares Bild zu erhalten, ohne das Objektiv zu ersetzen, was die Effizienz und Flexibilität der Detektion erhöht. ‌38

00003. ‌Unterstützung des BildmodusBeide Objektive unterstützen offene Reflexion und Transmittionsbeobachtung sowie polarisierte Lichtbeobachtung. ‌210

00004. ‌SystemkompatibilitätAls Teil des optischen Systems Olympus UIS2 kann es mit dem entsprechenden Mikroskop-Körper und -Zubehör verwendet werden, um eine professionelle Infrarotnahe-Erkennungsplattform aufzubauen. ‌4

‌Typische Anwendungsszenarien‌

· ‌HalbleiterfehleranalyseErkennung von Rissen, Löchern, Schichten und Metallkabelverbindungsfehlern im IC-Chip. ‌8

· ‌Wafer-DetektionBeobachten Sie die Dopingbereiche, Mängel und die Kristallstruktur im Siliziumwafer. ‌39

· ‌Materialwissenschaftliche ForschungFür verschiedene wissenschaftliche und industrielle Prüfbereiche, in denen die Durchdringung von undurchsichtigen Materialien zur internen Bildgebung erforderlich ist. ‌12