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Raum 208, Gebäude 5, 88, Hang North Road, Songjiang Distrikt, Shanghai
Shanghai Zhenjun Industrie Co., Ltd.
Raum 208, Gebäude 5, 88, Hang North Road, Songjiang Distrikt, Shanghai
Microtel VT321 HalbleiterparameteranalyserEinführung:
Halbleiterparameterprüfer VT321, unterstütztSMU、LCR、PGU、PMUwartenPXIeStandardmodul für komplexe Testanforderungen. Ausstattung15.6Zoll HD-Bildschirm, vorinstalliertfür Windows 10undVTNextSoftware, zur Verfügung gestelltI-V、C-Vund Pulse.I-VTestfunktionen, eingebautMOSFET、BJTEine umfangreiche Bibliothek von Gerätetypen wie Dioden, Widerständen und Kapazitäten bietet erweiterte Testdefinitionen, Parameteranalysen, Diagramme und Automatisierungsfunktionen für moderne Halbleiter-, Material- und Prozesscharakteristiken.
Es ist ein ikonisches Produkt des internationalen Flaggschiffes für inländische Ausrüstung. Sein KernIVLeistung erreicht ±200VBreiter Spannungsbereich, Strommempfindlichkeit erreicht0,1fAIndustriestandard, Gleichstrombereich ±1AImpulsstrom bis zu ±3AHohe Probenahme1,8 ms/s;LebenslaufTestabdeckung20Hz bis 10MHzBreiter Frequenzbereich,PGUImpulseinheit mit minimaler Pulsbreite25nsprogrammierbare Auflösung bis zu2,5nsAus der Sicht der Kernindikatoren,VT321Realisiert für Tech4200A-SCSEs ist de.B1500AVollständige Parallelisierung, ergänzt die inländische Ausrüstung in der hohen Präzision, voll funktionale Integration der Kern-Shortboard, hat derzeit eine Reihe von Hochschulen-Labore und Power-Geräte-Unternehmen in der Massenbeschaffung erhalten.
IVtechnische Indikatoren
Spannungsbereich: ±200V
Spannungsempfindlichkeit:100 NV
Strombereich: ±1A(Gleichstrom),±3A(Impuls)
Strommempfindlichkeit:0,1fA
Probenahme:1,8 ms/s
Lebenslauftechnische Indikatoren
Prüffrequenz:20Hz bis 10MHz
ACSignalquelle: Spannung:10mVrms-2Vrms (f)≤1 MHz)、1Vrms (f>1MHz)Strom:50 pArms bis 100 mArms
DCSpannung: ±40 VStrom: ±100 mA
PGUtechnische Indikatoren
Frequenzbereich:0,1 Hz bis 20 MHz
Impulszyklus: Programmierbarer Bereich50ns-10sAuflösung:10ns
Impulsbreite: Programmierbarer Bereich25ns-(Impulszyklus -25ns); Auflösung:2,5ns(TR und TF≤8 μs)、10ns(TrandTf>8 uns)。