Britische Ossila Chip S403 OFET Test Chip S411

Nur für Tierversuche usw.

Spezifikationen

Britische Ossila Chip S403 OFET Test Chip S411

Anwendungen

Ossila High Density Substrates verfügen über 20 OFETs, die Ihre Forschung auf verschiedene Weise nutzen können. Erstens werden die Produktionskosten durch ein höheres Volumen an OFETs pro Substrat im Vergleich zu den niedrigen Dichteäquivalenten reduziert. Dies kann helfen, Ihr Budget zu dehnen, damit Sie eine größere Anzahl von OFETs produzieren und testen können.

Zweitens ist die Herstellung von OFETs ein viel schneller und weniger aufwendiger Prozess. Bei der Verwendung von vorgefertigten OFETs mit hoher Dichte wird die Fertigungszeit um bis zu 50 % verkürzt, was mehr Zeit für die Testung der Geräte freimacht. Dadurch können größere Mengen an Statistiken erstellt werden, die wiederum eine robustere und zuverlässigere Forschung liefern können.

Britische Ossila Chip S403 OFET Test Chip S411

Darüber hinaus wird die OFET-Variabilität reduziert, da bei jeder Herstellung eine größere Anzahl von OFETs hergestellt wird. Bei Ossila haben wir den Fertigungsprozess optimiert, um stets qualitativ hochwertige Substrate herzustellen. In dieser Hinsicht kann die Verwendung unserer vorgefertigten Substrate statt der Herstellung Ihrer eigenen helfen, zuverlässigere Daten zu sammeln, die Ihrem Forschungsprojekt zugute kommen.

Vorgefertigte Substrate mit hoher Dichte sind ideal für die Mobilitätsprüfung, da sie eine schnelle, effiziente Prüfung hoher Mengen an OFETs ermöglichen. Die Ossila Hochdichte OFET Testplatte wurde für diesen Zweck entwickelt.

Anstatt eine mechanische Sondenstation zu verwenden, um OFETs zu testen, was ein empfindlicher und zeitaufwendiger Prozess ist, ermöglicht die Testplatte mit hoher Dichte das Testen mehrerer OFETs gleichzeitig; Einfach das Substrat in den Testschlitz fallen, den Push-Fit-Deckel befestigen und das Board über seine BNC-Steckverbinder mit einer Reihe von Testgeräten verbinden.

Britische Ossila Chip S403 OFET Test Chip S411

Das Board wurde intelligent entwickelt, um externe Geräusche, Leckstrom und Streukapazität zu reduzieren, um zuverlässige und präzise Niederstromprüfungen zu ermöglichen.

Das Ossila High Density OFET Test Board, entwickelt für die schnelle, zuverlässige Prüfung mehrerer OFETs.

Spezifikationen

Wir fertigen p-dotierte Siliziumsubstrate mit einer isolierenden 300 nm Siliziumoxid-Oberschicht. Platin wird darauf abgelegt, um Gateelektroden herzustellen, die auch den leitfähigen Rand des Substrats abdecken. Es ist daher wichtig, dass der Rand des Substrats leitfähig ist und nicht mit der Siliziumoxidschicht bedeckt ist. Wenn nicht, muss das Siliziumoxid von den Seiten der Substrate abgekratzt werden, bevor es verwendet werden kann.

Struktur unserer vorgefertigten Silizium-/Siliziumoxidsubstrate.

Bei Ossila haben wir den Fertigungsprozess optimiert, um sicherzustellen, dass die Kanten leitfähig sind und das Substrat sofort einsatzbereit ist.

Wir fertigen unsere hochdichten Substrate mit 5 nm Titan und 100 nm Platin.

Einzelne Details und Abmesszeichnungen zu jedem Substrattyp finden Sie unten.

Lineares Substrat mit variabler Kanallänge von 1 mm x 2 µm (S403)

Abmessung von 1 mm x 2 µm Substrat.

Interdigitiertes Substrat mit konstanter Kanallänge von 22,6 mm x 5 µm (S411)

Abmessung einer der 22,6 mm x 5 µm Vorrichtungen auf dem Hochdichte-Substrat.