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Raum 208, Gebäude 5, 88, Hang North Road, Songjiang Distrikt, Shanghai
Produktkategorien
Shanghai Zhenjun Industrie Co., Ltd.
Parameteranalysator für Halbleiter TH521
VerhandlungsfähigAktualisieren am05/15
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Übersicht
Der TH521 Halbleiterparameteranalyzer ist eine umfassende Lösung für die Schaltkreisdesign, die Designern von Elektronikschaltkreisen bei der Auswahl von Leistungsgeräten hilft, die für ihre Anwendung geeignet sind, um den maximalen Wert ihrer Elektronikprodukte zu erzielen. Es kann alle relevanten Parameter des Geräts unter verschiedenen Arbeitsbedingungen bewerten, einschließlich IV-Parameter (Bruchspannung und Leitwiderstand), Drei-End-FET-Kondensatoren, Gate-Ladung und Leistungsverlust. Die Halbleiter-Parameteranalysatoren der Serie TH521 für den Kreislaufbau verfügen unter anderem über eine komplette Kurvenverfolgungsfunktionalität.
Produktdetails
Parameteranalysator für Halbleiter TH521Einführung：
Parameteranalysator für Halbleiter TH521Eine umfassende Lösung für die Schaltkreisdesign, die Ihnen hilft, die Leistungselektronik-Schaltkreisdesigner bei der Auswahl von Leistungsgeräten für Ihre Anwendung zu unterstützen, um ihren Leistungselektronik-Wert zu maximieren. Es kann alle relevanten Parameter des Geräts unter verschiedenen Arbeitsbedingungen bewerten, einschließlich IV-Parameter (Bruchspannung und Leitwiderstand), Drei-End-FET-Kondensatoren, Gate-Ladung und Leistungsverlust. Die Halbleiter-Parameteranalysatoren der Serie TH521 für den Kreislaufbau verfügen unter anderem über eine komplette Kurvenverfolgungsfunktionalität.
Die maximale Ausgangsspannung der TH521-Serie kann ± 3500V erreichen. Der maximale Ausgangsstrom kann ± 1800A erreichen, die Mindestauflösung der Spannungsmessung ist 100nV, die Mindestauflösung der Strommessung ist 10fA, die maximale Verfallsspannung für die kapazitative Messelektrode erreicht ± 3500V, die Messfrequenz kann bis zu 10MHz erreichen.
Leistungsmerkmale
TH521Regelmäßige Eigenschaften
· bis zu3.5kV/1800ABreites Arbeitsumfang
von-50°Cnach+250°CVollautomatische Schnellwärmeprüfung
· Automatische Erstellung technischer Daten für Leistungsgeräte (Halbleiter und Komponenten)
Automatische Aufzeichnung verhindert Datenverlust
·AlHilfe bei der ErstellungPythonTestskript
TH521IVPaketeigenschaften
· Schnelle und vollständige Automatisierung von Geräten auf der Verpackung und dem WaferIVMessungen
von Ron、BVdas Leck,Vth、VsatWarten Sie!)
· schmalIVImpulsbreite (am schmalesten) 10μsVerhindert die spontane Hitze des Geräts, um genauer zu messen
Praktische Leistung des Testgerätes
Oszilloskopansicht (Zeitbereichsansicht) ermöglicht die Überwachung der tatsächlichen Spannung/Strompulswellenform, um
Genaue Messungen durchführen
*Konfiguration kann flexibel erweitert werdenLebenslaufundQgDer Strombereich von20AErweiterung
nach200A、600Aoder1800A
TH521Vollständige Eigenschaften des Pakets
·IVAlle Eigenschaften des Pakets
· Messverpackungsgeräte in3,5 kVTransistoreingang, Ausgang und Umkehr
(Ciss)、Koss、CRSS、Cies、Coes、Cres(und Torwiderstand)(Rg)
· Messung der Torladung des Gehäuses (Qg(Kurve)
Berechnung des Leistungsverlusts (Leitungs-, Antriebs- und Schaltverlust)
Anwendungsbereiche
· Halbleiterleistungsgeräte
Dioden, Triode,MOSFET、IGBTthyristor, integrierte Schaltungen, Licht
Parasitische Kapazitätstests wie Elektronische Chips,C-VEigenschaften Analyse
· Halbleitermaterial
Wafer schneiden,C-VEigenschaften Analyse
· Flüssige Materialien
Elastizitätskonstantenanalyse, Flüssigkristallschneiden
· Kapazitive Komponenten
KondensatorenC-VEigenschaftsprüfung und Analyse, Testanalyse von kapazitiven Sensoren
H521Technische Parameter der Halbleiter-Parameteranalysatoren:
MCSMU | |||
Spannungsbereich, Auflösung und Genauigkeit | |||
Spannungsmessung |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit (% von + mV + mV） |
*Großer Strom |
200 mV |
100 NV |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
1A |
2V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
1A |
20 V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
1A |
40 V |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A |
Strombereich, Auflösung und Genauigkeit |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit (%+A+A） |
*Hochspannung |
10μA |
10pA |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
30V |
100μA |
100pA |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
30V |
1mA |
1nA |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
30V |
10mA |
10nA |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
30V |
100 mA |
100nA |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
30V |
1A |
1uA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
30V |
Typische Auflösung |
6½Bit |
||
*Große Spannung |
±30V |
||
*Kleiner Strom |
10pA |
||
Puls * Großes Leerverhältnis |
5%(Höchstwert übersteigt100 mAZeit） |
||
Puls * kleine Breite |
10μs |
||
Puls * große Breite |
100 ms(Höchstwert übersteigt100 mAZeit） |
||
Gleichstrom * Großstrom |
±100 mA |
||
Puls * Spitze |
±1A |
||
Impuls* Große Basiswerte |
±50 mA(Höchstwert übersteigt100 mAZeit） |
||
HCSMU | |||
Spannungsbereich, Auflösung und Genauigkeit | |||
Spannungsmessung |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit (% von + mV + mV） |
*Großer Strom |
200 mV |
100 NV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05) |
20A |
2V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
20A |
20 V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
20A |
40 V |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A |
Strombereich, Auflösung und Genauigkeit |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit (%+A+A） |
*Hochspannung |
10μA |
10pA |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
40 V |
100μA |
100pA |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
40 V |
1mA |
1nA |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
40 V |
10mA |
10nA |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
40 V |
100 mA |
100nA |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
40 V |
1A |
1μA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
40 V |
20A |
20μA |
±(0.4 + 2E-3+Vo x 1E-4) |
20 V |
Typische Auflösung |
6½Bit |
||
*Große Spannung |
±40 V |
||
*Kleiner Strom |
10pA |
||
Puls * Großes Leerverhältnis |
1%(Höchstwert übersteigt1AZeit） |
||
Puls * kleine Breite |
50μs |
||
Puls * große Breite |
1ms(Höchstwert übersteigt1AZeit） |
||
Gleichstrom * Großstrom |
±100 mA |
||
Puls * Spitze |
±20A |
||
Impuls* Große Basiswerte |
±100 mA(Höchstwert übersteigt1AZeit） |
||
MPSMU | |||
Spannungsbereich, Auflösung und Genauigkeit | |||
Spannungsmessung |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit (% von + mV + mV） |
*Großer Strom |
100mV |
100 NV |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
100 mA |
1V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
100 mA |
10V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
100 mA |
100V |
100μV |
±(0.012 + 2.5 + Io x 10) |
20mA(≥40V) 50mA(≤40V) |
Strombereich, Auflösung und Genauigkeit |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit (%+A+A） |
*Hochspannung |
1nA |
1fA |
±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15) |
100V |
10nA |
10fA |
±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14) |
100V |
100nA |
100fA |
±(0.05 + 2E-11 + Vo x 1E-13) |
100V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12) |
100V |
10μA |
10pA |
±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11) |
100V |
100μA |
100pA |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10) |
100V |
1mA |
1nA |
±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9) |
100V |
10mA |
10nA |
±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
100V |
100 mA |
100nA |
±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7) |
20 V |
Typische Auflösung |
6½Bit |
||
*Große Spannung |
±100V |
||
*Kleiner Strom |
1fA |
||
HVSMU | |||
Spannungsbereich, Auflösung und Genauigkeit | |||
Spannungsmessung |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit±(%+mV) |
*Großer Strom |
200V |
200 uV |
±(0.03+40) |
10mA |
500V |
500uV |
±(0.03+100) |
10mA |
1500V |
1,5 V |
±(0.03+300) |
10mA |
3500V |
3,5 V |
±(0.03+600) |
5 mA |
Strombereich, Auflösung und Genauigkeit |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit (%+A+A） |
*Hochspannung |
10nA |
10fA |
±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
100μA |
100pA |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11) |
3500V |
10mA |
10nA |
±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9) |
1750V |
Typische Auflösung |
6½Bit |
||
*Große Spannung |
±3500V |
||
*Kleiner Strom |
10fA |
||
UHCU | ||
Spannungsbereich, Auflösung und Genauigkeit | ||
Spannungsmessung |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit±(%+mV) |
60V |
100μV |
±(0.2+10) |
Strombereich, Auflösung und Genauigkeit |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit (%+A+A） |
200A |
200μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
600A |
500μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
1800A |
2mA |
±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo) |
Puls * Großes Leerverhältnis |
0.4%（600AMaßstäbe);0.1%（1800AMessbereich） |
|
Puls * kleine Breite |
10μs |
|
Puls * große Breite |
1ms（600AMaßstäbe);500μs（1800AMessbereich） |
|
Puls * Spitze |
200A、600A、1800AMessbereich |
|
MFCMU | ||
|
Frequenz |
Frequenzbereich |
1kHz bis 10MHz |
*Kleine Frequenz-Auflösung |
1mHz |
|
Frequenzpräzision |
±0.05% |
|
|
ACEbene |
Ebenenbereich |
0~250mV |
Auflösung |
0,1 mVrms |
|
Genauigkeit |
±(10%*Werte festlegen+2mV) |
|
|
DCVorurteilung |
Umfang |
0~±25V |
Auflösung |
1mV |
|
Genauigkeit |
1%*Spannung einstellen+8 mV |
|
Ausgangsimpedance |
100Ω |
|
Konfiguration der Testseite |
Viertes Ende. |
|
Testzeit |
schnell2,5 msMittelgeschwindigkeit90 msLangsam.220ms |
|
Kapazität |
Anzeigebereich |
0.00001pF~9.99999F |
*Hohe Genauigkeit |
0.05% |
|
TH521Auswahl der Halbleiterparameteranalyser der Serie:
TH521-35-20 |
IV: 3500V / 20A |
TH521-35-20C |
IV: 3500V/20A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-200 |
IV: 3500V/200A |
TH521-35-200C |
IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-600 |
IV: 3500V/600A |
TH521-35-600C |
IV: 3500V / 600A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-1800 |
IV: 3500V/1800A |
TH521-35-1800C |
IV: 3500V / 1800A, CV: 10MHz, Qg |
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