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Raum 208, Gebäude 5, 88, Hang North Road, Songjiang Distrikt, Shanghai
Produktkategorien
Shanghai Zhenjun Industrie Co., Ltd.
TH521 Halbleiterparameteranalyser
VerhandlungsfähigAktualisieren am05/25
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Übersicht
Der Halbleiterparameteranalyzer TH521 ist eine umfassende Lösung für die Schaltungskonstruktion, die Leistungselektronik-Schaltungskonstrukteuren hilft, die Leistungsgeräte für ihre Anwendung zu wählen und ihre Leistungselektronik zu nutzen. Es kann alle relevanten Parameter des Geräts unter verschiedenen Arbeitsbedingungen bewerten, einschließlich IV-Parameter (Bruchspannung und Leitwiderstand), Drei-End-FET-Kondensatoren, Gate-Ladung und Leistungsverlust. Die Halbleiter-Parameteranalysatoren der Serie TH521 für den Kreislaufbau verfügen unter anderem über eine komplette Kurvenverfolgungsfunktionalität.
Produktdetails
TH521 HalbleiterparameteranalyserEinführung:
HalbleiterparameteranalyserTH521-35-1800CEine umfassende Lösung für die Schaltkreisdesignung, die Elektronikkreisdesignern hilft, die für ihre Anwendung geeigneten Leistungsgeräte auszuwählen, damit ihre Elektronik funktioniert.*Großer Wert. Es kann alle relevanten Parameter des Geräts unter verschiedenen Arbeitsbedingungen bewerten, einschließlichIVParameter (Bruchspannung und Leitwiderstand), drei EndenFETKapazität, Gate-Ladung und Stromverlust. Für den KreislaufbauTH521Die Halbleiter-Parameteranalysatoren der Serie verfügen über eine komplette Kurvenverfolgungsfunktionalität und weitere Funktionen.
HalbleiterparameteranalyserTH521-35-1800CDetaillierte Präsentation
TH521Halbleiter-Parameteranalysatoren:
Der Halbleiterparameteranalyzer der Serie TH521 ist eine umfassende Lösung für die Schaltungskonstruktion, die Designern von Leistungselektronikskreisen bei der Auswahl von Leistungsgeräten hilft, die für ihre Anwendung geeignet sind, damit ihre Leistungselektronik funktioniert.*Großer Wert. Es kann alle relevanten Parameter des Geräts unter verschiedenen Arbeitsbedingungen bewerten, einschließlichIVParameter (Bruchspannung und Leitwiderstand), drei EndenFETKapazität, Gate-Ladung und Stromverlust. Für den KreislaufbauTH521Die Halbleiter-Parameteranalysatoren der Serie verfügen über eine komplette Kurvenverfolgungsfunktionalität und weitere Funktionen.
TH521Eigenschaften der Halbleiterparameteranalyser-Serie:
TH521Regelmäßige Eigenschaften
• bis3.5kV/1800ABreites Arbeitsumfang
• von -50 °Czu +250 °CVollautomatische Schnellwärmeprüfung
• Technische Daten zur automatischen Erstellung von Leistungsgeräten (Halbleiter und Komponenten)
• Automatische Aufzeichnung verhindert Datenverlust
• KIHilfe bei der ErstellungPythonTestskript
TH521 IVPaketeigenschaften
• Schnelle und vollständige Automatisierung von Geräten auf Verpackungen und WafersIVMessungen （Ron、BVdas Leck,Vth、Vsatwarten)
• schmalIVImpulsbreite (*schmal 10 μsSie können die spontane Hitze des Geräts verhindern und das Gerät genauer testen Internationale Leistung
• Oszilloskopansicht (Zeitbereichsansicht) ermöglicht die Überwachung der tatsächlichen Spannung/Strompulswellenform zur Präzision Wirklich messen
• Konfiguration kann flexibel erweitert werdenLebenslaufundQgDer Strombereich von20 AErweitern auf200A、600 Aoder1800 A
TH521Vollständige Eigenschaften des Pakets
• IVAlle Eigenschaften des Pakets
• Messverpackungsgeräte in3.5 kVTransistoreingang, Ausgang und Umkehr
（Ciss、Koss、CRSS、Cies、Coes、Cres(und Torwiderstand)Rg）
• Messung der Torladung des Gehäuses (Qg(Kurve)
• Berechnung des Leistungsverlusts (Leitungs-, Antriebs- und Schaltverlust)
TH521Technische Parameter der Halbleiter-Parameteranalysatoren:
MCSMU | |||
Spannungsbereich, Auflösung und Genauigkeit | |||
Spannungsmessung |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit (% von + mV + mV） |
*Großer Strom |
200 mV |
100 NV |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
1A |
2V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
1A |
20 V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
1A |
40 V |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A |
Strombereich, Auflösung und Genauigkeit |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit (%+A+A） |
*Hochspannung |
10μA |
10pA |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
30V |
100μA |
100pA |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
30V |
1mA |
1nA |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
30V |
10mA |
10nA |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
30V |
100 mA |
100nA |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
30V |
1A |
1uA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
30V |
Typische Auflösung |
6½Bit |
||
*Große Spannung |
±30V |
||
*Kleiner Strom |
10pA |
||
Pulse*Großer Platzanteil |
5%(Höchstwert übersteigt100 mAZeit） |
||
Pulse*Kleine Breite |
10μs |
||
Pulse*Große Breite |
100 ms(Höchstwert übersteigt100 mAZeit） |
||
Gleichstrom*Großer Strom |
±100 mA |
||
Pulse*Großer Gipfel |
±1A |
||
Pulse*Großer Basiswert |
±50 mA(Höchstwert übersteigt100 mAZeit） |
||
HCSMU | |||
Spannungsbereich, Auflösung und Genauigkeit | |||
Spannungsmessung |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit (% von + mV + mV） |
*Großer Strom |
200 mV |
100 NV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05) |
20A |
2V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
20A |
20 V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
20A |
40 V |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A |
Strombereich, Auflösung und Genauigkeit |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit (%+A+A） |
*Hochspannung |
10μA |
10pA |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
40 V |
100μA |
100pA |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
40 V |
1mA |
1nA |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
40 V |
10mA |
10nA |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
40 V |
100 mA |
100nA |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
40 V |
1A |
1μA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
40 V |
20A |
20μA |
±(0.4 + 2E-3+Vo x 1E-4) |
20 V |
Typische Auflösung |
6½Bit |
||
*Große Spannung |
±40 V |
||
*Kleiner Strom |
10pA |
||
Pulse*Großer Platzanteil |
1%(Höchstwert übersteigt1AZeit） |
||
Pulse*Kleine Breite |
50μs |
||
Pulse*Große Breite |
1ms(Höchstwert übersteigt1AZeit） |
||
Gleichstrom*Großer Strom |
±100 mA |
||
Pulse*Großer Gipfel |
±20A |
||
Pulse*Großer Basiswert |
±100 mA(Höchstwert übersteigt1AZeit） |
||
MPSMU | |||
Spannungsbereich, Auflösung und Genauigkeit | |||
Spannungsmessung |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit (% von + mV + mV） |
*Großer Strom |
100mV |
100 NV |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
100 mA |
1V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
100 mA |
10V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
100 mA |
100V |
100μV |
±(0.012 + 2.5 + Io x 10) |
20mA(≥40V) 50mA(≤40V) |
Strombereich, Auflösung und Genauigkeit |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit (%+A+A） |
*Hochspannung |
1nA |
1fA |
±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15) |
100V |
10nA |
10fA |
±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14) |
100V |
100nA |
100fA |
±(0.05 + 2E-11 + Vo x 1E-13) |
100V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12) |
100V |
10μA |
10pA |
±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11) |
100V |
100μA |
100pA |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10) |
100V |
1mA |
1nA |
±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9) |
100V |
10mA |
10nA |
±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
100V |
100 mA |
100nA |
±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7) |
20 V |
Typische Auflösung |
6½Bit |
||
*Große Spannung |
±100V |
||
*Kleiner Strom |
1fA |
||
HVSMU | |||
Spannungsbereich, Auflösung und Genauigkeit | |||
Spannungsmessung |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit±(%+mV) |
*Großer Strom |
200V |
200 uV |
±(0.03+40) |
10mA |
500V |
500uV |
±(0.03+100) |
10mA |
1500V |
1,5 V |
±(0.03+300) |
10mA |
3500V |
3,5 V |
±(0.03+600) |
5 mA |
Strombereich, Auflösung und Genauigkeit |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit (%+A+A） |
*Hochspannung |
10nA |
10fA |
±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
100μA |
100pA |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11) |
3500V |
10mA |
10nA |
±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9) |
1750V |
Typische Auflösung |
6½Bit |
||
*Große Spannung |
±3500V |
||
*Kleiner Strom |
10fA |
||
UHCU | ||
Spannungsbereich, Auflösung und Genauigkeit | ||
Spannungsmessung |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit±(%+mV) |
60V |
100μV |
±(0.2+10) |
Strombereich, Auflösung und Genauigkeit |
Ausgabe/Messauflösung |
Ausgabe/Messgenauigkeit (%+A+A） |
200A |
200μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
600A |
500μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
1800A |
2mA |
±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo) |
Pulse*Großer Platzanteil |
0.4%（600AMaßstäbe);0.1%（1800AMessbereich） |
|
Pulse*Kleine Breite |
10μs |
|
Pulse*Große Breite |
1ms（600AMaßstäbe);500μs（1800AMessbereich） |
|
Pulse*Großer Gipfel |
200A、600A、1800AMessbereich |
|
MFCMU | ||
|
Frequenz |
Frequenzbereich |
1kHz bis 10MHz |
*Kleine Frequenz-Auflösung |
1mHz |
|
Frequenzpräzision |
±0.05% |
|
|
ACEbene |
Ebenenbereich |
0~250mV |
Auflösung |
0,1 mVrms |
|
Genauigkeit |
±(10%*Werte festlegen+2mV) |
|
|
DCVorurteilung |
Umfang |
0~±25V |
Auflösung |
1mV |
|
Genauigkeit |
1%*Spannung einstellen+8 mV |
|
Ausgangsimpedance |
100Ω |
|
Konfiguration der Testseite |
Viertes Ende. |
|
Testzeit |
schnell2,5 msMittelgeschwindigkeit90 msLangsam.220ms |
|
Kapazität |
Anzeigebereich |
0.00001pF~9.99999F |
*Hohe Genauigkeit |
0.05% |
|
TH521Auswahl der Halbleiterparameteranalyser der Serie:
TH521-35-20 |
IV: 3500V / 20A |
TH521-35-20C |
IV: 3500V / 20A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-200 |
IV: 3500V/200A |
TH521-35-200C |
IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-600 |
IV: 3500V/600A |
TH521-35-600C |
IV: 3500V / 600A, CV: 10MHz, Qg |
TH521-35-1800 |
IV: 3500V/1800A |
TH521-35-1800C |
IV: 3500V / 1800A, CV: 10MHz, Qg |
TH521Anwendungen für Halbleiterparameteranalyser:
• Halbleiterleistungsgeräte
Dioden, Triode,MOSFET、IGBTParasitische Kapazitätstests wie Thyristor, integrierte Schaltungen, optoelektronische Chips,C-VEigenschaften Analyse
• Halbleitermaterial
Wafer schneiden,C-VEigenschaften Analyse
• Flüssigkristallmaterial
Elastizitätskonstantenanalyse, Flüssigkristallschneiden
• Kondensatorkomponenten
KondensatorenC-VEigenschaftsprüfung und Analyse, Testanalyse von kapazitiven Sensoren
