Halbleiterdynamik Prüfsysteme

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Halbleiterdynamik-Testsysteme $r$n$r$n Physical Chemical bietet individuelle Lösungen und technischen Support

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Halbleiterdynamik Prüfsysteme

Für Halbleitermaterialien / Geräte (Si / SiC / GaN / organisch / Perovskit)Trägerdynamik + transiente Optoelektrik + dynamische Eigenschaften der Leistungseinrichtungenintegrierte Testplattform,Physiochemische Instrumente bieten exklusive One-to-One-Lösungen und technischen Support über den gesamten Zyklus。

1. Trägerdynamik (Materialklasse)

Transitive optische Spannung / optischer Strom (TPV / TPC), zeitliche Auflösung Fluoreszenz (TRPL), Flugzeit (TOF) Migrationsrate.
Transitionsspektrometrie auf tiefer Energiestufe (DLTS), Ladungsentnahme (CE) und lineare Ladungsträger (CELIV).
Analyseparameter: Lebensdauer des Trägers, Migrationsrate, Diffusionslänge, Fehlerzustandsdichte, Schnittstellenkomplexgeschwindigkeit.

2. Dynamische Eigenschaften von Leistungsgeräten (Geräteebene)

Doppel-Impuls-Test (DPT): Ein-/Ausschaltzeit, Aufstieg-/Abstiegszeit, Schaltverlust, Umkehr-Wiederherstellung.
Dynamische Rds (on), Gate-Ladung Qg, Kurzschlusstoleranz (SCSOA), Body Diode Degradation Test.
Anpassung: MOSFET/IGBT/SiC-MOSFET/GaN-HEMT mit einer Abdeckung von 600V bis 10kV und 10A bis 1kA.

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