SEMIKRON Ersatzteile SKKT 570/16E

SEMIKRON Ersatzteile SKKT 570/16E

SEMIKRON Ersatzteile SKKT 570/16E

ElektronikE62.S23-204M30

SOLARTRONDP 5 P 971135-3

MIKRO-EPSILONDS05(15)Drehzahlsensor

PROTEUS INDUSTRIES INC. ist9WSPKV50G-1-003

Robert Stahl SchmidtBD 4R9S/16

MIKRO-EPSILONWDS-2500-Z100-CA-PPositionssensoren

SOLARTRON911173-3 Wechselstrom PSIM

SEMIKRONSKKT 570/16ESteuerbares Silizium

SOLARTRON911174-3 RS232IMMK2

EBRO ARMATURENE110

HYDROTECHNIK33VH-73-35.V012 Ersatz

REXROTH4WE6J62/EG24N9K4

SOLARTRONDie AX 1.0 SH T

REXROTHDBDS6K1X 315

BK MikoTK-BKM-8A-21.015393Messerprüfungsmotor

EUROTHERMEPOWER / 3PH-500A / 600V / 230V / XXX / XXX / XXX / OO / XX / XX / XX / XX / XXX / XXX / XXX / QS / FRA / 500A / 440V / 3P / 3D / XX

MOTRONAFU210Signalumformer

CARROLL und MEYNELLMVT9.9K / 12A-3E

Präelektronik4114

RotorUD 1205/1434740-013-7

Präelektronik4501

REO_RROVIBID 615830

PROCENTEC101-800110

EBRO ARMATURENE65

MILTON ROYGA120S6N3V + MOTOR LS56M / T

GAI-TRONICS701-307

GAI-TRONICS13302-002

GAI-TRONICS12504-004

ZENTRO-ELEKTRTK8899-2BE 98228899-102

ROEHM42175

ROEMHELDY1895-203-LM-90

KROHNEK800/R

KROHNEKQ-1407-ZY1063 0-14PH, 0-70 ℃ 4-20MA

ING.FRANZ KROMEKE21025

KROMSCHRODERIFW 15-T 84359010 ohne Transformator

ING.FRANZ KROMEKE210-25

FIBRO2961.70.050.200Leitplatte

KROMSCHRODERTC 410-10T

Rotärer EncoderOVW2-2048-2MD

PULSOTRONIK622330 KJ2-M12MB65-DPS-V2 Ersatz

FIBROEM.18.0750.9.132.02.0.0.0

HYDROTECHNIK3948-04-01.00

HEITRONIKKT19.43

REXROTHR910985329

Polytron8344200

PROTON-ELEKTROTEXD161-250-10 (nur 10 kaufen)

GAI-TRONICS13314-002

KROMSCHRODERVGBF 50F40-3Z

ROKETTE1PLH225-35DE10B

KROMSCHRODERVGBF 80F40-3Z

MIKRO-EPSILONTIM160

STARS ELEKTRONIKTVL-1 A230G 04/01

AVS-ROMER617112 EGV-1027/V2-AH9-1/2CG-024

ROLANDS0047000 E20-4P-PR-S

ROSE+KRIEGERFNA5023TA0145

MIKRO-EPSILONILD1900

AVS-ROMER613558 egv- 111 -a 78 - 1 cg- 00

ELSTER-INSTROMETRB-TI

MIKRO-EPSILONILD1900LL

BK MikoBKM91PB-21

Electorswerk BrienzaDer KSL250-2

ELETTROTECNTB80CC 710-370-01300

ELTROTECCLS-K-63

ROLANDP42AGS

DROPSA3405413

ROSSIMR V 125 UO2A

ROEMHELD3829-234

Polytron5720/8344200/ 8344200

ROEHM898695

ROEHM462405

FRONIUS

EUROTHERM6180 A

KreuzeU83161.8 SP 41910 40\\1A\\AC125V

ProminentS3BAH040830PVTS170R000

EUROTHERMEPOWER / 1PH-100A / 600VLeistungsregler

STROAMG227-92363 NFF 100

REXROTH3842532009

ROLANDPW42AGS

PROFIMESSPT-01.3.1.1.99.0.80

AROF512LM

Prominent142069

ROTECHCR3AAZ0Grenzschalter

CARANE UmweltschutzDELTA-5SWDP

PR ElektronikTP. TI-SU1-RIW

RothenbergerRP50-S

MIKRO-EPSILONTIM160S

PAR-Gruppe6507-25ID

PAR-Gruppe6507-44ID 15m Ganzzahl

ROLAND239504

ROHM60906Werkstückeinrichtungen

OMRONG6D-F4B DC24V

PROCEMEX530

PROCEMEXP0527

PROCEMEX999

EUROFLUIDEVM103AX3F

AG.140-00706 92 NE - 390 FVCam Schalter

HYDROPADS-302-55

ITRON133-5-72 DN25 PN16/5

ROLANDIE20-30GS

ELTROTECCLS-K-63

ROLANDIS20-30GS

UNITROME16-P LOGIC I/R2 220/220VDC (100278)Signalrelais

VonP32.8150 PA6GF30

VonP32.0213 ECI 42.40 18VDC

Von477136 V665212

VonN51.1127 F-NR.2256516

ROLANDSCI20S-GG

ProminentGMXA1602NPT20000UA10300DE

ROLANDI20-2-PN-S

Profiroll41412722000Stützwalzen

Profiroll41417742000Stützachse

MEGATRONKT701K 500N 2410Z

Profiroll41425740200Stützwalzen

POWERTRONIK11PM04100100 P688W

ProtagonistenS302236 11 URD 273 TTF 1800 Ersatz (N300737 nicht mehr produziert)

PAR-Gruppe6507-25ID

ProminentGAMMA_XL GXLAEU0450PVT20000UA1000DE 替代

PAR-Gruppe6507-44ID

KROHNEDK800 / R / K1

MIKRO-EPSILONILD1320-200

MikrodetektorenSSC/0P-0EOptische Schalter

ROEMHELD18951330M90

HYDROTECHNIK3403-53-G3.46Drucksensoren

ROEMHELD1895433VDH35

PULSOTRONIK622330 KJ2-M12MB65-DPS-V2 Ersatz

HYDROTECHNIKHTF/2701-30-76.5

ROEMHELD1895333VDH35

JAY ELECTRONIQUE401RSEF41000 RSEF41-0

KROHNEDK800 / R / K1

ROSSIWORM GEARMOTOR KATTE. A MR V 125 UO2A- 28X250- 32 Befestigungsstellung B3 Ohne MotorGetriebe

GROSCHOPPWK1153302

SchroederK10

ELERO761906301 Wirtschaft 1

SOLARTRONArbeitsgruppe/10/SJSensor

ElektronikE62.R16-333L30Kapazität

ROHM577249+771705

Profiroll41412722000Stützwalzen

PROCEMEX530

Profiroll41417742000Stützachse

ELERO761850501 Wirtschaft 01

ROEMHELD1942010

REXROTHR930003503

ElektronikE62.G10-202B20 2F/4000V

ElektronikE62.H15-402B20 4F/4000V

EROGLU406.02.13.100.ERP

EROGLU406.02.13.70.ERP

EROGLU406.02.20.70.ERP

EROGLU406.20.45.IK

Profiroll41425740200Stützwalzen

ElektronikE50.N15-304N61Kapazität

ElektronikE50.N15-304N61Kapazität

AUTOROTORT55-09-270

ElektronikE50.N15-304N61Kapazität

ElektronikE50.N15-304N61Kapazität

HYDRO-Luft110 102Wechsel den Anschluss.

AG.155-00001 0,23_GHE_553_DFV50Grenzschalter

HYDRO-Luft120 102Wechsel den Anschluss.

MIKRO-EPSILONDS-1

HYDRO-Luft110 104Wechsel den Anschluss.

MIKRO-EPSILONDer DZ-140

HYDRO-Luft120 104Wechsel den Anschluss.

HYDRO-Luft110 103 - 39 D 1420/3 G1/2“ – SONDERFARBE GOLDWechsel den Anschluss.

HYDRO-Luft120 103Wechsel den Anschluss.

HYDRO-LuftGE-S10/G3/8Wechsel den Anschluss.

HYDRO-LuftG1/2 110103Wechsel den Anschluss.

OMRONG9SA-501 AC/DC24

HYDROPADS-302-55

OMRONE3Z-D87 von OMC

SOLARTRON9740005-3 DJ10P

OMRONE3Z-T86 von OMC

OMRONE2B-M18KN16-M1-B1 OMS

OMRONR88D-KT75F

Kreuze83169406 (CD7, KABEL 0,5M LINKS) Anzahl der Notizen

Proteus08012BN16 0–10 VDC 4–20 MA

PR Elektronik5335D

AG.51-323BM5Z-299G Nr.: 152567 1: 336

AG.151-05160 51_6.5_NM1Z_899

OMRONR88D-KT75F-Z

OMRONE2B-M12KS04-M1-B1

OMRONR88D-KT75F

AVTRONALV8L1G6P000S

ARCOTRONICSC878BF35150AA0J Bestellmenge 434 Stück

SOLARTRONAX/2,5/S

CAPTRONCAT-200-21G5/VA-214

COMATROLCP200-3-B-0-E-C-XXX

PR ElektronikTP. TI-SU1-RIW

AUTOROTORT55-09-270

AUTOROTORT55-09-270 41997

JWFROEHLICH458511

AG.151-05095 51_75_BMK_499P

ElektronikE33.D93-501615 220001 Ersatz

SEMIKRON Ersatzteile SKKT 570/16E

SEMIKRON Ersatzteile SKKT 570/16E

Die Methode, die drei Pol des steuerbaren Siliziums zu identifizieren, ist sehr einfach, und gemäß dem Prinzip des P-N-Knotens kann der Widerstandswert zwischen den drei Polen nur mit einem Multimeter gemessen werden.

Der positive und rückwärts liegende Widerstand zwischen Anode und Katode beträgt mehr als mehrere hundert Kilometer und der positive und rückwärts liegende Widerstand zwischen Anode und Steuerpol beträgt mehr als mehrere hundert Kilometer (es gibt zwei P-N-Knoten zwischen ihnen und in der entgegengesetzten Richtung, so dass weder Anode noch Steuerpol umgekehrt funktionieren) [1].

Zwischen dem Steuerpol und der Kathode ist ein P-N-Knoten, so dass sein positiver Widerstand im Bereich von einigen Euro-Hunderten liegt und der umgekehrte Widerstand größer ist als der positive Widerstand. Allerdings ist die Eigenschaft der Steuerpoldiode nicht ideal, der umgekehrte Zustand ist nicht blockiert, kann ein relativ großer Strom durchlaufen, daher ist die Messung des umgekehrten Widerstands des Steuerpols manchmal relativ klein, was nicht bedeutet, dass die Eigenschaften des Steuerpols schlecht sind. Darüber hinaus sollte das Multimeter bei der Messung und Steuerung des polaren Umkehrwiderstands auf R * 10 oder R * 1 gelegt werden, um zu verhindern, dass der überspannte Steuerpol umgekehrt bricht.

Wenn das Element gemessen wird, dass der inverse Yin-Yang-Pol kurzgeschlossen ist, oder die Anode und der Steuerpol kurzgeschlossen sind, oder die Steuerpol und die Katode zurückgeschlossen sind, oder die Steuerpol und die Katode unterbrochen sind, ist das Element beschädigt.

Steuerbares Silizium ist eine Abkürzung für das Steuerbare Silizium-Straightenelement und ist ein leistungsstarkes Halbleitergerät mit einer vierschichtigen Struktur mit drei PN-Knoten. In der Tat ist die Funktion des steuerbaren Siliziums nicht nur die Regulierung, es kann auch als kontaktloser Schalter verwendet werden, um die Schaltung schnell zu verbinden oder abzuschneiden, um die Umkehr des Gleichstroms in Wechselstrom umzuwandeln, eine Frequenz Wechselstrom in eine andere Frequenz umzuwandeln und so weiter. Steuerbares Silizium und andere Halbleitergeräte haben die Vorteile von kleinem Volumen, hoher Effizienz, guter Stabilität und zuverlässiger Arbeit. Sein Auftreten hat die Halbleitertechnologie aus dem Bereich der schwachen Elektrizität in den Bereich der starken Elektrizität gelangt und zu einem Wettbewerbsbestandteil in Industrie, Landwirtschaft, Verkehr, militärischer wissenschaftlicher Forschung und Handel und zivilen Elektrogeräten geworden.

Haupthersteller

Übertragung

Redaktion

Haupthersteller Marken: ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL Warten Sie.

Begriffe

Übertragung

Redaktion

IT(AV) - Durchschnittsstrom

VRRM - Reverse Repetitive Peak Spannung IDRM - Interruptive Repetitive Peak Strom

ITSM - durchgängiger Strom ohne wiederholte Wellenstrom

VTM - Normale Spitzenspannung

IGT - Torpol-Auslösungsstrom

VGT - Torpol Auslösungsspannung

IH - Aufrechterhaltungsstrom

dv/dt - kritischer Anstieg der Unterbrechungsspannung

di/dt - kritische Anstiegsrate des Durchgangsstroms

Rthjc - Wärmewiderstand

VI SO - Modulisolationsspannung

Tjm - Nenntemperatur

VDRM - wiederholte Spitzenspannung

IRRM - Umkehrter wiederholter Spitzenstrom

IF(AV) - positiver mittlerer Strom

PGM - Torpole Spitzenleistung

PG - Durchschnittliche Leistung

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Übertragung

Redaktion

1. Geräuschpegel am Tor

In einer Umgebung mit elektrischem Rauschen wird auch eine Leitung ausgelöst, wenn die Rauschspannung am Tor die VGT übersteigt und genügend Torstrom vorhanden ist, um eine positive Rückmeldung innerhalb des steuerbaren Siliziums (Thyristor) zu stimulieren.

Bei der Installation der Anwendung sollte zunächst die Verbindung außerhalb des Gates so kurz wie möglich gemacht werden. Wenn die Verbindung nicht sehr kurz ist, kann ein Hang- oder Schirmkabel verwendet werden, um das Eindringen von Störungen zu verringern. Dann kann ein Widerstand von 1KΩ zwischen G und MT1 hinzugefügt werden, um seine Empfindlichkeit zu verringern, oder ein Kondensator von 100nf parallel angeschlossen werden, um hochfrequente Geräusche zu filtern.

2. Über die Wandelspannungsrate

Wenn eine große induktive Last angetrieben wird, gibt es eine große Phasenverschiebung zwischen der Lastspannung und dem Strom. Wenn der Laststrom Null überschreitet, beginnt das bidirektional steuerbare Silizium (Thyroid) zu wechseln, aber aufgrund der Phasenverschiebung wird die Spannung nicht Null sein. Daher ist es erforderlich, dass das steuerbare Silizium (Thyristor) diese Spannung schnell abschaltet. Wenn die Änderung der Wechselspannung zu diesem Zeitpunkt den zulässigen Wert überschreitet, gibt es nicht genug Zeit, um die Ladung des Knotens freizugeben, und es wird gezwungen, das bidirektional steuerbare Silizium (Thyristor) in den Leitungszustand zurückzukehren.

Um die oben genannten Probleme zu überwinden, kann ein RC-Netzwerk zwischen den Anschlüssen MT1 und MT2 hinzugefügt werden, um die Spannungsänderungen zu begrenzen, um Fehlerauslösungen zu verhindern. Im Allgemeinen nimmt der Widerstand 100R und der Kondensator 100nF. Es ist bemerkenswert, dass dieser Widerstand nicht gespart werden kann.

3. Über die Änderungsrate des Umwandlungsstroms

Wenn der Laststrom erhöht wird, die Frequenz der Stromversorgung erhöht wird oder die Stromversorgung eine nicht-Sinuswelle ist, wird die Wandlungsstromveränderungsrate erhöht, was am häufigsten bei sensorischen Belastungen auftritt und zu Schäden am Gerät führt. Zu diesem Zeitpunkt kann eine Luftinduktion von wenigen Millivolt in einem Lastkreislauf in Reihe geschaltet werden.

4. Über die regulierbare Silizium (Thyristor) offene Schaltung Spannung Veränderungsrate DVD / DT

Bei einer hohen Geschwindigkeitswanderung der Spannung, die kleiner ist als der VDFM an den beiden Enden des in beiden Richtungen gesteuerten Siliziums (Thyroid) im Abschnittszustand ist, erzeugt der Strom des internen Kondensators ausreichend Gitterstrom, um das gesteuerte Silizium (Thyroid) zu leiten. Dies ist besonders schwer bei hohen Temperaturen, in denen eine RC-Pufferschaltung zwischen MT1 und MT2 hinzugefügt werden kann, um VD/DT zu begrenzen, oder ein Hochgeschwindigkeits-steuerbares Silizium (Thyristor) verwendet werden kann.

Über die kontinuierliche Spitzenspannung VDRM

Wenn die Stromversorgung nicht normal ist, wird die Spannung an beiden Enden des steuerbaren Siliziums (Thyroid) den Maximalwert der kontinuierlichen Spitzenspannung VDRM überschreiten, wenn der Leckstrom des steuerbaren Siliziums (Thyroid) zunimmt und die Leitung durchbricht. Wenn die Last einen großen Überspannungsstrom erlaubt, ist die lokale Stromdichte auf der Siliziumflatte sehr hoch, so dass dieser kleine Teil zuerst geleitet wird. Der Chip verbrannt oder beschädigt. Außerdem erzeugen Glühlampen, kapazitive Belastungen oder Kurzschlussschutzkreise einen hohen Überspannungsstrom, bei dem Filter und Klemmschaltungen hinzugefügt werden können, um zu verhindern, dass Spitzenspannungen auf das bidirektional steuerbare Silizium (Thyristor) zugefügt werden [2].

Die Methode, die drei Pol des steuerbaren Siliziums zu identifizieren, ist sehr einfach, und gemäß dem Prinzip des P-N-Knotens kann der Widerstandswert zwischen den drei Polen nur mit einem Multimeter gemessen werden.

Der positive und rückwärts liegende Widerstand zwischen Anode und Katode beträgt mehr als mehrere hundert Kilometer und der positive und rückwärts liegende Widerstand zwischen Anode und Steuerpol beträgt mehr als mehrere hundert Kilometer (es gibt zwei P-N-Knoten zwischen ihnen und in der entgegengesetzten Richtung, so dass weder Anode noch Steuerpol umgekehrt funktionieren) [1].

Zwischen dem Steuerpol und der Kathode ist ein P-N-Knoten, so dass sein positiver Widerstand im Bereich von einigen Euro-Hunderten liegt und der umgekehrte Widerstand größer ist als der positive Widerstand. Aber die Eigenschaften der Steuerpoldiode sind nicht ideal, der umgekehrte Zustand ist nicht blockiert, kann ein relativ großer Strom durchlaufen, daher kann manchmal der umgekehrte Widerstand des Steuerpols gemessen werden, was nicht darauf hindeutet, dass die Eigenschaften des Steuerpols schlecht sind. Darüber hinaus sollte das Multimeter bei der Messung und Steuerung des polaren Umkehrwiderstands auf R * 10 oder R * 1 gelegt werden, um zu verhindern, dass der überspannte Steuerpol umgekehrt bricht.

Wenn das Element gemessen wird, dass der inverse Yin-Yang-Pol kurzgeschlossen ist, oder die Anode und der Steuerpol kurzgeschlossen sind, oder die Steuerpol und die Katode zurückgeschlossen sind, oder die Steuerpol und die Katode unterbrochen sind, ist das Element beschädigt.

Steuerbares Silizium ist eine Abkürzung für das Steuerbare Silizium-Straightenelement und ist ein leistungsstarkes Halbleitergerät mit einer vierschichtigen Struktur mit drei PN-Knoten. In der Tat ist die Funktion des steuerbaren Siliziums nicht nur die Regulierung, es kann auch als kontaktloser Schalter verwendet werden, um die Schaltung schnell zu verbinden oder abzuschneiden, um die Umkehr des Gleichstroms in Wechselstrom umzuwandeln, eine Frequenz Wechselstrom in eine andere Frequenz umzuwandeln und so weiter. Steuerbares Silizium und andere Halbleitergeräte haben die Vorteile von kleinem Volumen, hoher Effizienz, guter Stabilität und zuverlässiger Arbeit. Sein Auftreten hat die Halbleitertechnologie aus dem Bereich der schwachen Elektrizität in den Bereich der starken Elektrizität gelangt und zu einem Wettbewerbsbestandteil in Industrie, Landwirtschaft, Verkehr, militärischer wissenschaftlicher Forschung und Handel und zivilen Elektrogeräten geworden.

Haupthersteller

Übertragung

Redaktion

Haupthersteller Marken: ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL Warten Sie.

Begriffe

Übertragung

Redaktion

IT(AV) - Durchschnittsstrom

VRRM - Reverse Repetitive Peak Spannung IDRM - Interruptive Repetitive Peak Strom

ITSM - durchgängiger Strom ohne wiederholte Wellenstrom

VTM - Normale Spitzenspannung

IGT - Torpol-Auslösungsstrom

VGT - Torpol Auslösungsspannung

IH - Aufrechterhaltungsstrom

dv/dt - kritischer Anstieg der Unterbrechungsspannung

di/dt - kritische Anstiegsrate des Durchgangsstroms

Rthjc - Wärmewiderstand

VI SO - Modulisolationsspannung

Tjm - Nenntemperatur

VDRM - wiederholte Spitzenspannung

IRRM - Umkehrter wiederholter Spitzenstrom

IF(AV) - positiver mittlerer Strom

PGM - Torpole Spitzenleistung

PG - Durchschnittliche Leistung

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1. Geräuschpegel am Tor

In einer Umgebung mit elektrischem Rauschen wird auch eine Leitung ausgelöst, wenn die Rauschspannung am Tor die VGT übersteigt und genügend Torstrom vorhanden ist, um eine positive Rückmeldung innerhalb des steuerbaren Siliziums (Thyristor) zu stimulieren.

Bei der Installation der Anwendung sollte zunächst die Verbindung außerhalb des Gates so kurz wie möglich gemacht werden. Wenn die Verbindung nicht sehr kurz ist, kann ein Hang- oder Schirmkabel verwendet werden, um das Eindringen von Störungen zu verringern. Dann kann ein Widerstand von 1KΩ zwischen G und MT1 hinzugefügt werden, um seine Empfindlichkeit zu verringern, oder ein Kondensator von 100nf parallel angeschlossen werden, um hochfrequente Geräusche zu filtern.

2. Über die Wandelspannungsrate

Wenn eine große induktive Last angetrieben wird, gibt es eine große Phasenverschiebung zwischen der Lastspannung und dem Strom. Wenn der Laststrom Null überschreitet, beginnt das bidirektional steuerbare Silizium (Thyroid) zu wechseln, aber aufgrund der Phasenverschiebung wird die Spannung nicht Null sein. Daher ist es erforderlich, dass das steuerbare Silizium (Thyristor) diese Spannung schnell abschaltet. Wenn die Änderung der Wechselspannung zu diesem Zeitpunkt den zulässigen Wert überschreitet, gibt es nicht genug Zeit, um die Ladung des Knotens freizugeben, und es wird gezwungen, das bidirektional steuerbare Silizium (Thyristor) in den Leitungszustand zurückzukehren.

Um die oben genannten Probleme zu überwinden, kann ein RC-Netzwerk zwischen den Anschlüssen MT1 und MT2 hinzugefügt werden, um die Spannungsänderungen zu begrenzen, um Fehlerauslösungen zu verhindern. Im Allgemeinen nimmt der Widerstand 100R und der Kondensator 100nF. Es ist bemerkenswert, dass dieser Widerstand nicht gespart werden kann.

3. Über die Änderungsrate des Umwandlungsstroms

Wenn der Laststrom erhöht wird, die Frequenz der Stromversorgung erhöht wird oder die Stromversorgung eine nicht-Sinuswelle ist, wird die Wandlungsstromveränderungsrate erhöht, was am häufigsten bei sensorischen Belastungen auftritt und zu Schäden am Gerät führt. Zu diesem Zeitpunkt kann eine Luftinduktion von wenigen Millivolt in einem Lastkreislauf in Reihe geschaltet werden.

4. Über die regulierbare Silizium (Thyristor) offene Schaltung Spannung Veränderungsrate DVD / DT

Bei einer hohen Geschwindigkeitswanderung der Spannung, die kleiner ist als der VDFM an den beiden Enden des in beiden Richtungen gesteuerten Siliziums (Thyroid) im Abschnittszustand ist, erzeugt der Strom des internen Kondensators ausreichend Gitterstrom, um das gesteuerte Silizium (Thyroid) zu leiten. Dies ist besonders schwer bei hohen Temperaturen, in denen eine RC-Pufferschaltung zwischen MT1 und MT2 hinzugefügt werden kann, um VD/DT zu begrenzen, oder ein Hochgeschwindigkeits-steuerbares Silizium (Thyristor) verwendet werden kann.

Über die kontinuierliche Spitzenspannung VDRM

Wenn die Stromversorgung nicht normal ist, wird die Spannung an beiden Enden des steuerbaren Siliziums (Thyroid) den Maximalwert der kontinuierlichen Spitzenspannung VDRM überschreiten, wenn der Leckstrom des steuerbaren Siliziums (Thyroid) zunimmt und die Leitung durchbricht. Wenn die Last einen großen Überspannungsstrom erlaubt, ist die lokale Stromdichte auf der Siliziumflatte sehr hoch, so dass dieser kleine Teil zuerst geleitet wird. Der Chip verbrannt oder beschädigt. Außerdem erzeugen Glühlampen, kapazitive Belastungen oder Kurzschlussschutzkreise einen hohen Überspannungsstrom, bei dem Filter und Klemmschaltungen hinzugefügt werden können, um zu verhindern, dass Spitzenspannungen auf das bidirektional steuerbare Silizium (Thyristor) zugefügt werden [2].