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Hitachi High-Tech (Shanghai) International Trade Co., Ltd.
Ionenschleifmaschine IM4000II
VerhandlungsfähigAktualisieren am05/20
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Übersicht
Der Hitachi Ionen-Schleifmaschine IM4000II ermöglicht das Schnitt- und Flächenschleifen. Außerdem können verschiedene Proben durch eine Vielzahl von optionalen Funktionen wie die Tieftemperaturregelung und die Vakuumübertragung geschliffen werden.
Produktdetails
Ionenschleifmaschine IM4000II
Der Hitachi Ionen-Schleifmaschine IM4000II ermöglicht das Schnitt- und Flächenschleifen. Außerdem können verschiedene Proben durch eine Vielzahl von optionalen Funktionen wie die Tieftemperaturregelung und die Vakuumübertragung geschliffen werden.
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Eigenschaften
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Optionen
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Spezifikationen
Eigenschaften
Hocheffizientes Schnittschleifen
IM4000II mit einer Schnittschleifkapazität von bis zu 500 µm/h*1Die oben genannte hocheffiziente Ionenpistole. Somit können auch harte Materialien effizient Schnittproben hergestellt werden.
- *1
- Bei einer Beschleunigungsspannung von 6 kV wird die Si-Scheibe um 100 µm vom Rand der Block hervorgehoben und bis zu einer maximalen Tiefe von 1 Stunde bearbeitet
Probe: Sifolie (2 mm dick)
Beschleunigungsspannung: 6,0 kV
Schwingwinkel: ±30°
Schleifzeit: 1 Stunde
Wenn sich der Schwingwinkel beim Schnittschleifen ändert, ändern sich auch die Breite und Tiefe der Bearbeitung. Die nachstehende Abbildung zeigt die Ergebnisse des Schnittschleifens der Si-Scheibe unter einem Schwingwinkel von ±15°. Neben dem Schwingwinkel entsprechen andere Bedingungen den oben genannten Bearbeitungsbedingungen. Durch den Vergleich mit den oben genannten Ergebnissen kann eine Vertiefung der Bearbeitungstiefe festgestellt werden.
Für Proben, in denen das Beobachtungsziel sich tief befindet, kann die Probe schneller geschliffen werden.
Probe: Sifolie (2 mm dick)
Beschleunigungsspannung: 6,0 kV
Schwingwinkel: ±15°
Schleifzeit: 1 Stunde
Verbundschleifmaschine
Schnittschleifen
- Auch Verbundwerkstoffe mit unterschiedlichen Härten und Schleifgeschwindigkeiten können mit dem IM4000II eine glatte Schleiffläche hergestellt werden
- Optimierte Bearbeitungsbedingungen zur Reduzierung von Schäden an Proben durch Ionenstrahlen
- Proben mit einer Größe von bis zu 20 mm (W) × 12 mm (D) × 7 mm (H)
Hauptzwecke des Schnittschleifens
- Schnittvorbereitung von Proben aus Metallen und Verbundstoffen, Polymeren usw.
- Prüfschnittsvorbereitung mit spezifischen Stellen wie Rissen und Lücken
- Schnittvorbereitung mehrschichtiger Proben und Vorbehandlung der Probenanalyse durch EBSD
Flachschleifen
- Gleichmäßige Bearbeitung im Bereich von ca. 5mm Durchmesser
- Breite Anwendungsbereiche
- Proben mit einem maximalen Durchmesser von 50 mm × einer Höhe von 25 mm
- Dreh- und Schwingungsmöglichkeiten (±60°, ±90°) 2 Bearbeitungsmethoden
Hauptzwecke des Flachschleifens
- Beseitigung kleiner Kratzer und Veränderungen, die beim mechanischen Schleifen schwer zu beseitigen sind
- Entfernen von Oberflächenteilen der Probe
- Beseitigung von Schädigungsschichten durch FIB-Bearbeitung
Optionen
Tieftemperatursteuerung*1
Flüssiger Stickstoff wird als indirekte Kühlprobe als Kühlquelle in einen Duwa-Tank geladen. Der IM4000II ist mit einer Temperaturregelung ausgestattet, um eine Überkühlung von Harz- und Gummiproben zu verhindern.
- *1 Sie müssen gleichzeitig mit dem Host bestellt werden.
Normaltemperatur Schleifen
Kühlschleifen (-100 °C)
- Probe: Funktionelle (Papier-)Isolationsmaterialien, die die Verwendung von Kunststoffen reduzieren
Vakuumübertragungsfunktion
Die Proben nach der Ionenschleifbearbeitung können ohne Kontakt mit der Luft direkt in den SEM übertragen werden*1、 AFM*2Auf. Die Vakuumübertragungsfunktion und die Tieftemperatursteuerung können gleichzeitig verwendet werden. (Die Vakuumübertragungsfunktion des Flachschleifens gilt nicht für die Funktion der Tieftemperaturregelung).
- *1 Nur Hitachi FE-SEM mit Vakuumtransfer-Wechselposition unterstützt
- *2 Nur Vakuum-Hitachi AFM unterstützt.
Physikalisches Mikroskop zur Beobachtung des Bearbeitungsprozesses
Die rechte Abbildung zeigt ein physiologisches Mikroskop zur Beobachtung der Probenverarbeitung. Ein dreifaches Mikroskop mit CCD-Kamera kann auf dem Monitor beobachtet werden. Es ist auch möglich, ein Doppelmikroskop zu konfigurieren.
Spezifikationen
| Hauptinhalt | |
|---|---|
| Gas verwenden | Argon |
| Argonstromsteuerung | Qualitätsflusskontrolle |
| Beschleunigte Spannung | 0.0 ～ 6.0 kV |
| Größe | 616(W) × 736(D) × 312(H) mm |
| Gewicht | Hauptmaschine 53 kg + mechanische Pumpe 30 kg |
| Schnittschleifen | |
| Schnellste Schleifgeschwindigkeit (Si-Material) | 500 µm/h*1über |
| Maximale Probengröße | 20(W）×12(D）×7（H）mm |
| Bewegungsbereich der Probe | X ± 7 mm, Y 0 ~ + 3 mm |
| Ionenstrahlbearbeitung Ein-/Ausschalten Zeitbereich |
1 Sekunde bis 59 Minuten 59 Sekunden |
| Schwingwinkel | ±15°, ±30°, ±40° |
| Breitbereichsschleiffunktion | - |
| Flachschleifen | |
| Maximaler Bearbeitungsbereich | φ32 mm |
| Maximale Probengröße | Φ50 X 25 (H) mm |
| Bewegungsbereich der Probe | X 0～＋5 mm |
| Ionenstrahlbearbeitung Ein-/Ausschalten Zeitbereich |
1 Sekunde bis 59 Minuten 59 Sekunden |
| Drehgeschwindigkeit | 1 rpm、25 rpm |
| Schwingwinkel | ± 60°, ± 90° |
| Neigungswinkel | 0 ～ 90° |
- *1 Die Si-Scheibe wird 100 µm von den Randen der Block herausgestellt und 1 Stunde lang bearbeitet.
Optionen
| Projekte | Inhalt |
|---|---|
| Tieftemperatursteuerung*2 | Indirekte Kühlung der Probe durch flüssigen Stickstoff, Temperatureinstellungsbereich: 0°C bis -100°C |
| Ultraharte Absperrplatte | Rund doppelt so lange als die Standard-Schutzplatte (ohne Kobalt) |
| Bearbeitungsprozessbeobachtung mit Mikroskop | Vergrößerungsvermöglichung 15x bis 100x Bi- und Trioptik (CCD installierbar) |
- *2 Die Bestellung erfolgt gleichzeitig mit dem Host. Bei der Verwendung der Kühltemperatursteuerung können einige Funktionen begrenzt genutzt werden.
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