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Hangzhou Qiyi Technologie Co., Ltd.
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InGaAs Indium-Gallium-Arsen-Detektor

VerhandlungsfähigAktualisieren am02/10
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InGaAs Indium-Gallium-Arsen-Detektor
Produktdetails
InGaAs Indium-Gallium-Arsen-Detektor

Eigenschaften:

• hohe Empfindlichkeit1700nm

• Niedriger dunkler Strom

• Aktivitätsbereich erreichbar0,7 bis 7 mm²


Modellnummer

Wirksame Fläche

Spektrale Reaktion (A/W)

Dunkel Strom (nA) @ 5V

Kapazität (pF) @ 5V

Bandbreite (nm)

Chips

Verpackung

Größe (mm)

Fläche (mm²)

@650 nm / @1550 nm

PC0.7-i

LCC6.1

1

0.7

0.05 / 0.95

2

70

900…1700

PC0.7-ix

LCC6.1

1

0.7

0.3 / 0.95

2

70

600…1700

PC0.7-ix

TO52S1

1

0.7

0.3 / 0.95

2

70

600…1700

PC7.1-i

TO5i

3

0.7

0.05 / 0.95

25

700

900…1700


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