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Zimmer 1209,1210,2609, Yulehui E, Wangjing Park, Chaoyang Distrikt, Peking
Peking Avantis Technologie Co., Ltd.
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Zimmer 1209,1210,2609, Yulehui E, Wangjing Park, Chaoyang Distrikt, Peking
Die Rahman-Technologie eignet sich besonders für die Prozessüberwachung, Produkterkennung, Fernerkennung und die Messung von hochstreuungsfähigen Partikeln in Wasserlösungen. Die Rahman-Technologie wurde vom indischen Physiker Rahman entdeckt und basiert auf dem Prinzip der Messung der nicht elastischen Streuungswirkung von Photonen.
Avantes verwendet ein hochempfindliches AvaSpec-Spektrometer und einen 532nm- oder 785nm-Laser, um bessere Raman-Messergebnisse zu erzielen. Der Spektralbereich des Spektrometers hängt vollständig von der Wellenlänge des Lasers ab.
Das AvaRaman-TEC-Spektrometer verfügt über ein dreistöckiges Kühlsystem, das die Arbeitstemperatur des Detektors um 30 °C niedriger als die Umgebungstemperatur und immer stabil bei 5 °C hält, wodurch Dunkelgeräusche erheblich reduziert werden können. Dank des PID-Controllers kann die Temperaturänderung des Detektors bei ±0,1 °C stabilisiert werden. Die AvaRaman Spektrometer sind standardmäßig mit der AvaSoft-Raman-Software und der leistungsstarken Raman-Analysesoftware Panorama-Pro für die Raman-Spektralerkennung und die Identifizierung chemischer Gruppen ausgestattet.
Avantes bietet zudem eine Vielzahl von Modellen von Raman-Sonden an, die der Benutzer je nach Anwendung auswählen kann.

| AvaRaman-532 TEC | AvaRaman-532 HERO-EVO | AvaRaman-785 TEC | |
| Kühlung | |||
| Signal-Rauschverhältnis | 200:1 | 800:1 | 300:1 |
| Auflösung | 10 cm-1 | 10 cm-1 | 7 cm-1 |
| Spektrometer |
AvaSpec-ULS2048L-TEC, mit Raster NC (535-752nm), Schlitz-25, DCL-UV / VIS, TE Kühlung |
AvaSpec-HERO,HSC1200-0.75(535-660nm), Schlitz-25-FCPC, TE-gekühlt, |
AvaSpec-ULS2048L-TEC , Raster SI(785-1080nm), Schlitz-25, DCL-UV / VIS, TE Kühlung |
| Die Raman-Transformation | 100 bis 5400 cm-1 | 100-3650 cm-1 | 100 bis 3500 cm-1 |
| Laserausgang | 532 Nanometer, 50 Milliwatt | 532 Nanometer, 50 Milliwatt | 785 nm, 500 mW, Klasse 3b |
| Laserwellenlänge | 532 Nanometer | 532 Nanometer | 785 Nanometer |
| Laserbandbreite | <0.1nm | <0.1nm | <0.2nm |
| Größe Gehäuse | 240 mm (Länge) x 140 mm (Breite) x 250 mm (Höhe) | ||