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Reconstruktionswissenschaftliche Instrumente (Shanghai) Co., Ltd.
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aAtlant 3D Direktdrucksystem

VerhandlungsfähigAktualisieren am12/28
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ATLANT 3D bringt die Technologie der direkten Atomschichtbearbeitung auf den Markt – eine Plattform für atomare Genauigkeit, maskelose Direktschreibung und Multi-Material-Onsite-Bearbeitung. Das aAtlant 3D-Direktdrucksystem ermöglicht selektive Ablagerungen, Ätze, Doping und Oberflächenmodifikationen sowie eine hochpräzise Echtzeitsteuerung per Software. Im Gegensatz zum herkömmlichen ALD-Prozess „Vollflächenablagerung + Lithographie + Ätz“ lässt DALP das Material nur an der gewünschten Stelle ablagern, um wirklich „Made-on-demand“ zu realisieren.
Produktdetails

aAtlant 3D DirektdrucksystemaAtlant 3D 直接原子层打印系统


Atomfertigung führt zu Paradigmenwechsel»


Mit der rasanten Entwicklung der Elektronik, der Photonik, der Quantentechnologie und der Luft- und Raumfahrtfertigung steht die Fertigungsbranche vor großen Herausforderungen: Höhere Materialpräzision, komplexere Bauelemente, höhere Leistung und geringerer Energieverbrauch sowie größere Material- und Konstruktionsflexibilität. Traditionelle Ablagerungstechniken erreichen jedoch allmählich ihre Grenzen in Bezug auf Geschwindigkeit, Vakuumanforderungen, Lithographie und Materialwechsel.


aAtlant 3D 直接原子层打印系统aAtlant 3D 直接原子层打印系统

Traditionelle Musterprozesse basieren auf Masken und Gravuren


Um die Engpässe zu überwinden, hat ATLANT 3D die direkte Atomschichtverarbeitung (DALP) eingeführt. ®) Technologie - eine Plattform, die atomare Genauigkeit, direkte Schreibweise ohne Maske und Multi-Material-Vor-Ort-Bearbeitung erreicht.


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01. Was ist DALP ®?Eine bahnbrechende Technologie zum Direktschreiben auf atomarer Ebene


DALP ® Eine auf Mikrodüsensystemen basierende atomare Bearbeitungsplattform für selektive Ablagerungen, Ätze, Doping und Oberflächenmodifikationen sowie eine hochpräzise Echtzeitsteuerung durch Software. Im Gegensatz zu den herkömmlichen ALD-Prozessen „Vollflächenablagerung + Lithographie + Ätzung“ DALP ® Lassen Sie das Material nur an der gewünschten Stelle abscheiden, um wirklich "Made-on-demand" zu erreichen.


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Das Arbeitsprinzip von DALP basiert auf der Technik der Atomschichte-Ablagerung im Raum, die chemische Vorläufer und Reaktoren auf Raumebene trennt und sie mit einem Mikrodüsensystem unabhängig an eine bestimmte Position auf dem Substrat transportiert. Dadurch wird sichergestellt, dass die chemischen Reaktionen nur im Zielbereich stattfinden, wodurch Kreuzverschmutzung reduziert und die Genauigkeit verbessert wird. Dieser Prozess ermöglicht eine horizontale Auflösung auf Mikrometer und eine Dickengenauigkeitskontrolle auf Nanometer.


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Die DALP-Technologie basiert auf der Kombination von Atomschichtersatzung und 3D-Druck


Wenn sich die Düse auf dem Substrat bewegt, erfolgt das Materialwachstum oder das Ätzen gleichzeitig, was eine Echtzeitmusterung ohne herkömmliche Masken oder Post-Lithographie-Schritte ermöglicht. Diese Methode bietet viele Vorteile, darunter die lokale Bearbeitung, die hohe Skalierbarkeit, die für industrielle Anwendungen geeignet ist und die Kompatibilität mit einer Vielzahl von Materialien wie Metallen, Oxiden und Halbleitern.


DALP ® Hauptmerkmale»


01 Direkt ohne Maske schreiben


Die herkömmliche ALD muss mithilfe der Lithographie modelliert werden, während die DALP ® Zuwachsen von Materialien direkt in ausgewählten Gebieten ermöglicht:

  • Null-Maske-Modellierung auf atomischer Ebene

  • Echtzeit-Design-Änderungen

  • Beseitigung von Materialverschwendung durch Lithographie und Ätz

  • Es bietet Flexibilität für schnelle Prototypentwicklung und agile Fertigung


02. Integration mehrerer Materialien in einem Schritt


DALP ® Die Möglichkeit, mehrere ALD-Ablagerungen in einem Prozess durchzuführen, umfasst die herkömmliche ALD-Prozessbibliothek:

  • Metall

  • Oxide

  • Nitride

  • Sulfide


03. Adaptive Fertigung mit Software und KI


durch maschinelles Lernen, DALP ® Fähigkeit:

  • Ablagerungszustand in Echtzeit überwachen

  • Automatische Optimierung der Wachstumsparameter

  • Verbesserte Wiederholbarkeit und Verringerung von Fehlern


4. Eine integrierte Plattform für Ablagerung, Ätzen, Doping und Oberflächenmodifikation


In einem einzigen System können:

  • Lokale Erosion (ALE)

  • Selektives Doping

  • Oberflächenfunktionalisierung (Mehrkomponente)


05. Skalierbar, niedriger Energieverbrauch, umweltfreundlich


DALP ® Betrieb unter Normaldruck ohne große Vakuumkammern, deutlich reduziert:

  • Energieverbrauch

  • Wartungskosten

  • Chemikalienverbrauch

  • Abfallemissionen


02. DALP ® Hauptanwendungsbereiche


DALP ® Die hohe Präzision, die Vielfalt der Materialien und die Softwaretreibung machen sie zu einer zentralen treibenden Kraft für mehrere Spitzenindustrien.


aAtlant 3D 直接原子层打印系统

aAtlant 3D 直接原子层打印系统


01 Halbleiterherstellung der nächsten Generation

Da sich Moores Gesetz den Grenzen der Physik nähert, wird die Struktur der Geräte immer komplexer und es ist schwierig, den Bedarf an herkömmlichen Methoden gerecht zu werden. DALP ® Die Möglichkeit, ohne Lichtgravur direkt auf Atommaterialien zu schreiben, ist die ideale Technik für folgende Anwendungen:


  • Schnelle Entwicklung von GAA-FET, FinFET und 3D IC

  • Präzise Bearbeitung von Verbindungen und hochdielektrischen Materialien

  • Aufbau der atomaren Passivierungsschicht

  • Neue neuromorphische Chip-Materialien erforscht


Zu den Vorteilen gehören höhere Effizienz, geringere Materialverschwendung und schnellere Iterationsgeschwindigkeit.


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Abbildung Multimaterialvorrichtung zur Ablagerung von Gradientenmustern von Metallen und Oxiden unter Verwendung der DALP-Technologie


02. Photonik und Quantengeräte

Quantenbrechen und Photonik stellen hohe Anforderungen an die Materialqualität und erfordern die Kontrolle von überleitenden Materialien, optischen Beschichtungen und Quantenmaterialien auf atomarem Niveau. DALP ® Direkt schreiben:

  • Lichtwellenleiter

  • Superleitende Quantenbitmaterialien

  • Einstellbare Brechungsgrad optische Struktur

  • Funktionsschichten in Photonenintegrierten Schaltungen

Es sind keine mehreren Kammern und mehrere Schritte erforderlich, wodurch die Komplexität reduziert und der Entwicklungszyklus erheblich beschleunigt wird.


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Direktdruck von Beschichtungen unterschiedlicher Dicke für Wellenleitungsprüfungen mit DALP Single-Batch


03. MEMS、 Sensoren und mikromechanische Systeme

Die Herstellung von MEMS beinhaltet in der Regel mehrere Lichtgravuren und tiefe Reaktionsgravierungen. DALP ® Es gibt einen direkteren und flexibleren Ansatz:

  • Direkte Modellierung von MEMS-Komponenten (Beschleunigungsmesser, Gyroskop, Resonator)

  • Funktionsschicht-Ablagerung von Microfluidic-Chips

  • Biokompatible Beschichtungen für tragbare und implantierte Sensoren

Dies macht MEMS einfacher anzupassen, schneller und wirtschaftlicher


aAtlant 3D 直接原子层打印系统

DALP setzt TiO mit Gradientdicke auf Pt-Elektroden ab2Beschichtungen für die Gassensorforschung


04. Nanogröbige Genauigkeit, ausgezeichnete Gleichmäßigkeit und Anpassung an komplexe Strukturen

DALP ® Seine Zuverlässigkeit und hohe Leistung wurden in mehreren Experimenten bewährt:

  1. Genauigkeit und Ausrichtung


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  • Ausrichtungsgenauigkeitsziel: ~1 μm

  • Ausrichtungsmarken können direkt auf die Probe abgelegt werden


2. Dickenkontrolle


aAtlant 3D 直接原子层打印系统


  • Lineares Verhältnis zwischen Dicke und Zykluszahl

  • Abweichung von 8% bei 10 nm

  • Abweichung bei 270 nm auf 1%

  • Wiederholte Abweichung nach 3 Monaten: 4%


Hohe Gleichmäßigkeit: Die Gleichmäßigkeit des zentralen Bereichs der Ablagerung von mehreren Materialien ist besser als 1%


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4. Polymorphische Beschichtung auf komplexen Oberflächen

DALP ® Es kann in folgenden komplexen Strukturen abgelegt werden:


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  • Große Löcher mit Anodisiertem Aluminiumoxid (AAO) bis zu 25 μm

  • Schwarzes Silizium mit Nanostruktur

  • Tiefe von 60 μm

  • 90° Straßenwandstruktur


aAtlant 3D 直接原子层打印系统

Querschnitt der Platin-Ablagerung des 20 µm-Kanals-kapazitiven Sensors. EDX-Element-Scans zeigen, dass Platin sich entlang der Seitenwand polig absetzt


05. DALP ® Definieren Sie die Fertigung der Zukunft


Direkte Atomschichtverarbeitung (DALP) ®) Es ist nicht nur ein Fortschritt in der Ablagerungstechnologie, sondern auch die Herstellung einer zeitübergreifenden Infrastruktur. Mit maskelosem Direktschreiben, Multi-Material-Integration, KI-gesteuerter Fertigung und regelmäßigem Druckbetrieb wird der traditionelle Prozess in Dutzende von Schritten softwaresteuerbar komprimiert.


  • Vom Lichtantrieb zum Softwareantrieb

  • Von der Vakuumfertigung zur Normaldruckfertigung

  • Von mehreren Kammern zu einer integrierten Plattform

  • Vom stationären Prozess zur adaptiven intelligenten Fertigung


Da die Nachfrage der Industrie nach hoher Präzision und Materialvielfalt steigt, DALP ® Es ist eine wichtige technologische Grundlage für Halbleiter, Photonik, Quantenrechnung, MEMS und Raumfahrtfertigung. Sie hat keine progressive Reform eingeleitet, sondern eine Revolution der atomaren Fertigung.


06. Über Atlant 3D und die DALP-Technologie


ATLANT 3D ist ein 2018 gegründetes Deep-Tech-Unternehmen mit Sitz in Kopenhagen, Dänemark, das sich auf die Realisierung der „Atomklasse“-Fertigung konzentriert. Die Kerntechnologie ist DALP. ® (Direct Atomic Layer Processing), Eine präzise Ablagerung und Modellierung von Materialien auf atomarer Ebene ohne herkömmliche Masken und mehrstufige Prozesse. Zu den Anwendungsbereichen, die das Unternehmen bedient, gehören Mikroelektronik, Photonik, Sensoren, Quantenrechnung und Raumfahrtfertigung. Die Entwicklung der DALP-Technologie ist das Ergebnis einer Zusammenarbeit zwischen mehreren akademischen und industriellen Institutionen.


  • Dr. Maksym Plakhotnyuk (Technische Universität Dänemarks), Ivan Kundrata (Slowakei-Akademie der Wissenschaften) und Dr. Julien Bachmann (Universität Erlangen-Nürnberg): Ihre gemeinsame Forschung zur lokalen Ablagerungstechnik wurde im Buch Additive Manufacturing in the Atomic Layer Processing Mode veröffentlicht.

  • Universität von Grenoble und Universität von Lyon: Dr. David Muñoz-Rojas (Grenoble) widmet sich der Verbesserung der Technik der Atomschichtersatzung im Weltraum (ALD), während Dr. Catherine Marichy (Lyon) sich der Forschung der direkten Oberflächenstrukturierung und der Methoden der unmaskierten Ablagerung widmet. Ihre Bemühungen förderten eine verbesserte Skalierbarkeit und Genauigkeit des lokalen ALD-Prozesses.


Modell empfohlen -Nanofabricator Lite


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NANOFABRICATOR ™ LITE ermöglicht schnelle Material- und Prozesstests, gradientbasierte Ablagerungen sowie die schnelle Entwicklung von experimentellen Designs und Geräteprototypen, wodurch der Entwicklungszyklus von Monaten auf Wochen verkürzt wird. Mit seiner integrierten Software, einer einfachen Arbeitsabläufe, einer benutzerfreundlichen Oberfläche und der Unterstützung von Branchenstandard-Dateiformaten (GDS-II und DXF) können Anwender die Konstruktion, Vorschau und Anpassung der Struktur in Echtzeit abschließen und so Innovationen und Anwendungen beschleunigen.


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