1200 ℃ Spray cvd chemische Gasphase Ablagerungsanlage

Produktbeschreibung:

1200 ℃ Spray cvd chemische Gasphase AblagerungsanlageIn Kombination mit der Nebulisierungstechnologie und dem Prozess der chemischen Gasphase-Ablagerung (CVD) wird die Vorläuferlösung durch Nebulisierung in kleine Tropfen und anschließende chemische Reaktion in der Hochtemperatur-Reaktionskammer zur Herstellung eines Feststofffilms mit den Vorteilen einer gleichmäßigen Ablagerung, einer steuerbaren Zusammensetzung und einer komplexen Struktur weit verbreitet in Halbleitern, optischen Beschichtungen und neuen Energiematerialien.

Hauptanwendungsbereiche:

1. Halbleiterindustrie: Vernebung CVD-Geräte werden in der Halbleiterindustrie weit verbreitet zur Herstellung einer Vielzahl von Dünnfilmmaterialien wie Polykristallines Silizium, Siliziumnitrid, Siliziumoxid usw. Diese Dünnfilmmaterialien spielen eine entscheidende Rolle in Halbleitergeräten wie Isolationsschichten, Schutzschichten, Leitschichten usw.

2. Optische Beschichtung: CVD-Geräte können zur Herstellung von optischen Beschichtungen verwendet werden, wie z. B. Anti-Reflexionsfilm, Perforationsfilm usw. Diese Folien verbessern die Leistung der Optik und verbessern die Effizienz der Lichtübertragung.

3. Neue Energiematerialien: Im Bereich der neuen Energien können CVD-Geräte für die Herstellung von Dünnfilm-Materialien in Solarzellen, wie Dünnfilm-Siliziumsolarzellen, Perovskit-Solarzellen usw. verwendet werden. Diese Dünnfilmmaterialien verbessern die Umwandlungseffizienz und Stabilität von Solarzellen.

4. Andere Bereiche: CVD-Geräte mit Zersprühung können auch zur Herstellung von verschleißfesten, korrosionsbeständigen Beschichtungen sowie zur Herstellung von Nanomaterialien, Kristallstrahlen usw. verwendet werden. Diese Materialien haben eine breite Anwendungsperspektive in den Bereichen Mechanik, Elektronik und Luft- und Raumfahrt.

Hauptmerkmale:

1. Gute Ablagerungsgleichmäßigkeit: Die Zerstäbungstechnik sorgt dafür, dass die Vorläuferlösung gleichmäßig verteilt ist und somit eine gleichmäßige Schicht auf der Substratoberfläche bildet. Dies ist von entscheidender Bedeutung für die Herstellung hochwertiger, leistungsstarker Folienmaterialien.

2. Bestandteil-Kontrolle: Durch die Anpassung der Zusammensetzung und Konzentration der Vorläuferlösung können die Zusammensetzung und Eigenschaften der Folie genau kontrolliert werden. Dadurch bietet die Vernetzung von CVD-Geräten einen einzigartigen Vorteil bei der Herstellung komplexer Komponentenfilmen.

3. Geeignet für komplexe Strukturen: CVD-Geräte mit Vernebelung können komplexe Formen von Substraten wie tiefe Löcher, Trenne usw. verarbeiten. Die Tröpfchen nach der Zersprühung können tief in diese komplexen Strukturen eindringen und eine gleichmäßige Abscheidung erreichen.

4. Niedrige Ablagerungstemperaturen: Einige Vernebungs-CVD-Geräte (wie Plasma-verstärkte chemische Gasphase-Ablagerung PECVD) verwenden Plasma zur Förderung chemischer Reaktionen, um die Ablagerung von hochwertigen Dünnfilmen bei niedrigeren Temperaturen zu erreichen. Dies hilft, den Energieverbrauch zu senken und Schäden an wärmeempfindlichen Substraten zu verringern.

Produktdetails zeigen:

Haupttechnische Parameter: