Wafer-PrüfmikroskopVergrößern Sie das Bild der Wafer-Oberfläche über ein optisches Linsensystem und projizieren es auf eine Brille oder einen Bildsensor zur Beobachtung und Analyse. Einige Mikroskope nutzen auch verschiedene Beleuchtungsmethoden und Kontrasttechniken wie Hellfeld, Dunkelfeld, Differential Interference Difference (DIC) usw., um den Kontrast des Bildes zu verbessern und Mängel und strukturelle Merkmale deutlicher zu erkennen.
Wafer-PrüfmikroskopDie Anwendungen sind wie folgt:
1, Wafer Oberfläche Fehlerprüfung
Redundanzverkennung: Durch 50-1000-fache Vergrößerung in Kombination mit optischer MIX-Beleuchtung, präzise Positionierung von Nanopartikeln bis zu Mikron-Staub, um elektrische Eigenschaften zu vermeiden.
Mechanische Schädigungsanalyse: Erkennung von Krätzen durch chemisches mechanisches Schleifen (CMP) und Bewertung der Auswirkungen von Schädigungen auf die Schaltungsverbindung.
Kristallfehlerprüfung: Verwenden Sie DIC-Technologie zur Identifizierung von Schiebe- und Stapelschichtfehlern, um die gute Ertragsquote zu verbessern.
2. Qualitätskontrolle des Lithographieprozesses
Prüfung der Präzision der Musterausrichtung: Überprüfen Sie, ob die Schaltungsmuster, die durch die Belichtung und die Bildung der Photogravur entstehen, den Konstruktionsanforderungen entsprechen, um Linienbreitenabweichungen zu vermeiden.
Analyse der Gleichmäßigkeit der Linienbreite: Messung der Breitenänderungen mit CD-SEM (Elektronenstrahlbildgebung) oder OCD (Optical Critical Dimension) Geräten, um die Prozessstabilität zu gewährleisten.
3. Verpackungsprüfung und Fehleranalyse
Schweißpunktqualitätsprüfung: Erkennung von Schweißpunktformen, Größen und Fehlern wie Scheißschweißen, Kurzschluss, um die Zuverlässigkeit der Verpackung zu gewährleisten.
Schichtübergreifende Ausrichtung und Dickenmessung: Überprüfen Sie die Überlagerungsgenauigkeit von mehrschichtigen Metall-/Mediumschichten und messen Sie Schichtübergreifende Dickenwechselungen, um die Konstruktionsspezifikationen zu erfüllen.
Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) Analyse: Bereitstellung von Schnittbildern auf atomarer Ebene in Kombination mit der Energiespektralanalyse der Elementverteilung, um die Ursache eines Fehlers zu lokalisieren.
4. Prozessunterstützung
Halbleiterdetektion von Verbindungen: wie Siliziumcarbid (SiC) -Substrat-Defektbildgebung, die den photogenischen Leuchtmitteldetektionskanal unterstützt, um kristalline Gitterfehler klar darzustellen.
3D-Strukturbeobachtung: Überprüfen Sie die Ausrichtungsgenauigkeit und Schnittstellengüte von dreidimensionalen Stapelstrukturen durch mehrwinkliche Neigung und Drehung von Proben.