Wafer-PrüfmikroskopEin optisches Instrument zur Überprüfung der Oberfläche und der inneren Struktur von Halbleiterwafern, das Technikern hilft, Mängel auf Wafern schnell zu erkennen und die Produktqualität zu gewährleisten.
Hauptfunktionen:
Mängelerkennung: Fähigkeit, Mängel wie Kratzer, Verschmutzung, Löcher, Risse und Anomalien der inneren Struktur schnell zu erkennen.
Größenmessung: Durch die ausgerüstete Messsoftware können die Linienbreite, die Grafikgröße, der Abstand usw. auf dem Wafer genau gemessen werden.
Bildanalyse: Die erfassten Bilder können verarbeitet und analysiert werden, wie z. B. Kontrastanpassung, Randerkennung, Fehlerklassifizierung usw., um Datenunterstützung für Qualitätskontrolle und Prozessverbesserungen bereitzustellen.
Wafer-PrüfmikroskopDurch die Kombination von optischen Systemen und Bildgebungstechniken wird eine präzise Beobachtung der Wafer-Oberfläche und der inneren Mikrostruktur erreicht, deren Kernprinzipien:
Optische Bildgebungssysteme
Beleuchtungsart: Unterstützung für durchlässige (für transparente / halbdurchsichtige Wafer) und reflektierende (für undurchsichtige Wafer) Beleuchtung, Lichtquelltypen umfassen Halogenlampen, LED-Lampen usw., wobei LED-Lampen aufgrund der langen Lebensdauer und der geringen Hitze zum Hauptstrom werden.
Objektive und Brille: Objektive sind wichtige optische Komponenten und bieten eine Vielzahl von Vergrößerungen wie 5X, 10X, 20X, 40X, während die Brille das Bild weiter vergrößert.
Fokus: Durch numerische Aperturanpassung wird das Licht der Lichtquelle auf die Wafer-Oberfläche fokussiert, um die Helligkeit der Beleuchtung zu verbessern und die Klarheit der Beobachtung zu verbessern.
Multimode-Beobachtungstechnik
Hellfeld / Dunkelfeldbeobachtung: Hellfelddetektion erkennt durch Veränderungen der reflektierten Lichtintensität Kratzer, Partikel und andere größere Mängel; Die Dunkelfelddetektion analysiert kleine Mängel auf einer Größe von unter 100 Nanometern mit gestreutem Licht.
Differenzielle Interferenz (DIC): Verbesserung des Bildkontrasts durch optische Differenzen, um die Stereostruktur eines Kristallfehlers klar darzustellen.
Fluoreszenz- und Polarisationsbeobachtung: Optional mit einem Fluoreszenzmodul zur Erkennung der luminogenen Eigenschaften, das Polarisationsmodul analysiert die Kristallorientation, um die Prozessanforderungen zu erfüllen.