Halbleiterlaser

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Halbleiterlaser mit DFB-Laser mit Quantenfällstruktur, eingebautem Halbleiterkühler, Standard-Verpackungsprozess zur Verpackung von Schmetterlingsfasern, kompakter Struktur und kleinem Volumen; Laser mit stabiler Leistung, stabiler Wellenlänge und hohem Vertrauensverhältnis gewinnt das Vertrauen der Kunden und wird im Bereich der Faserkommunikation weit verbreitet

Produktdetails

Halbleiter-Laser sind mit QuantenfällenstrukturDFB-LaserEingebauter Halbleiterkühler, Standard-Verpackungsprozess zur Verpackung mit Schmetterlingfasern, kompakter Struktur und kleinem Volumen; Laser mit stabiler Leistung, stabiler Wellenlänge und hohem Vertrauensverhältnis gewinnen das Vertrauen der Kunden und werden weit verbreitet im Bereich der Faserkommunikation verwendet. Die Vorteile der hohen Stabilität der Laserleistung und der hohen Stabilität der Wellenlänge unter der präzisen Temperaturregelung des Halbleiterkühlgerätes machen den Laser weit verbreitet im Bereich der Fasersensoren.

　　HalbleiterlaserMaximale Arbeitsbedingungen:

Parameter	Symbole	Parameterwert	Einheit
Positiver Strom der Laserdiode	Wenn(LD)	100	mA
Laserdioden Umkehrspannung	Vr(LD)	2	V
Arbeitsstrom des Hintergrundbeleuchtungsdetektors	Wenn(PD)	2	mA
Hintergrundbeleuchtungsdetektor Umkehrspannung	Vr(PD)	20	V
Kälter Arbeitsstrom	ITEC	2.4	Ein
Arbeitsspannung des Kühlgerätes	VTEC	2.9	V
Betriebstemperatur	Topr	-20~+70	℃
Lagertemperatur	Tstg	-40~+85	℃
Schweißtemperatur/Zeit	Tsld	260/10	℃ / s

Technische Parameter:

Parameter	Symbole	Testbedingungen	Min	Typ	max	Einheit
Lichtleistung	PO	CW	3		10	mW
Schwellenstrom	Ith	CW	-	12	18	mA
Arbeitsstrom	Iop	CW, 5mW	-	-	50	mA
Arbeitsspannung	Vop	CW und 5mW	-	1.5	2.0	V
Neigungseffizienz	η	CW und 5mW	0.05	0.1	-	mW/mA
Spitzenwellenlänge	λp	CW, 5mW@25 ℃	λc-1	λc	λc + 1	nm
Wellenlängenstabilität	λs	CW, 5mW@25 ℃	-0,1 nm		+0.1	dB
Seitenform-Unterdrückungsverhältnis	SMSR	CW, 5mW	35	-	-	nm
Spektralbreite (20dB)	[UNK]965151λ	CW, 5mW	-	0.2		von nm/℃
Wellenlängenveränderungskoeffizient mit Temperaturänderungen	Ð965151;λ/T	Stabiler Arbeitsstrom		0.1		von nm/℃
Wellenlänge mit Stromveränderung	von λ/I	Stabile Arbeitstemperatur		0.01		Nanometer/mA
Wärmewiderstand	Rth	Ttherm = 25 ℃	9.5	10	10.5	KΩ

Referenztabelle zur Gasabsorption:

Gaszusammensetzung	Wellenlänge absorbieren
O2	761nm und 764nm (VCSEL)
HF	1268,7 nm, 1273 nm und 1278 nm
H2O	1368,59 nm und 1392 nm
NH3	1512nm
C2H2	1532,68 nm
CO	1567 nm
H2S	1578 nm
CO2	1580nm und 2,0um
C2H4	1620nm und 1627nm
CH4	1647nm, 1650,9nm, 1653,7nm und 1660nm
HCl	1742 nm

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