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Changchun Changcheng Teaching Instrument Co., Ltd
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Physikalische Eigenschaften von PN-Knoten (Boltzmann-Konstantenmesser)

VerhandlungsfähigAktualisieren am05/06
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Übersicht

1. Experiment: $r$n1. Messung des Verhältnisses zwischen PN-Knoten-Diffusionsstrom und Knotenspannung, um die Boltzmann-Konstante genauer zu messen; $r$n2. Lernen, schwachen Strom mit einem Operationsverstärker zu messen, der Strom-Spannung-Umwandlungskreise zusammensetzt; $r$n3. Messt das Verhältnis zwischen PN-Verbindungsspannung und Temperatur, um die Empfindlichkeit der Verbindungsspannung bei Temperaturänderungen zu ermitteln; $r$n4. Ungefähre Bandbreite des Halbleitermaterials (Silizium) bei 0 K.

Produktdetails

1. Inhalt des Experiments

1. Messung des Verhältnisses zwischen PN-Knoten-Diffusionsstrom und Knotenspannung, um die Boltzmann-Konstante genauer zu messen;

2. lernen, schwachen Strom mit einem Operationsverstärker zu messen, der Strom-Spannung-Umwandlungskreise zusammensetzt;

3. Messung der Beziehung zwischen PN-Verbindungsspannung und Temperatur, um die Empfindlichkeit der Verbindungsspannung mit Temperaturänderungen zu ermitteln;

4. Ungefähre Bandbreite des Halbleitermaterials (Silizium) bei Erreichen von 0K.

Haupttechnische Parameter:

1. Gleichstromversorgung: 0 ~ 1,5 V einstellbare Gleichstromversorgung, 1 mA ~ 3 mA einstellbare Gleichstromversorgung

LCD-Display: LCD-Bildschirmauflösung: 128 x 64 Pixel

3. Spannungsanzeige: 2 Gruppen, Messbereich: 0 ~ 4095mV; 0 ~ 40,95V

4. Thermostat: Trockenbrunnstyp, Temperaturbereich: Raumtemperatur ~ 80 Grad Celsius, Temperaturauflösung 0,1 Grad Celsius

1. Inhalt des Experiments

1. Messung des Verhältnisses zwischen PN-Knoten-Diffusionsstrom und Knotenspannung, um die Boltzmann-Konstante genauer zu messen;

2. lernen, schwachen Strom mit einem Operationsverstärker zu messen, der Strom-Spannung-Umwandlungskreise zusammensetzt;

3. Messung der Beziehung zwischen PN-Verbindungsspannung und Temperatur, um die Empfindlichkeit der Verbindungsspannung mit Temperaturänderungen zu ermitteln;

4. Ungefähre Bandbreite des Halbleitermaterials (Silizium) bei Erreichen von 0K.

Haupttechnische Parameter:

1. Gleichstromversorgung: 0 ~ 1,5 V einstellbare Gleichstromversorgung, 1 mA ~ 3 mA einstellbare Gleichstromversorgung

LCD-Display: LCD-Bildschirmauflösung: 128 x 64 Pixel

3. Spannungsanzeige: 2 Gruppen, Messbereich: 0 ~ 4095mV; 0 ~ 40,95V

4. Thermostat: Trockenbrunnstyp, Temperaturbereich: Raumtemperatur ~ 80 Grad Celsius, Temperaturauflösung 0,1 Grad Celsius