Laser-Scan-Fehler-Spektrometer

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Das Laser Scan Defect Imager ist eine erweiterte Version des Laserstrahleninduktionsstromtests (LBIC). Es nutzt einen Laserstrahl mit einer Wellenlängenenergie, die größer ist als die Halbleiterbandspalte, um Halbleiter zu bestrahlen und Elektronen-Lochpaare zu erzeugen. Durch das schnelle Scannen der Probenoberfläche erhalten Sie eine Bildverteilung, die Veränderungen des internen Stroms aufdeckt, um eine Vielzahl von Fehlverteilungen zu analysieren. Dies hilft dabei, die Qualität der Probenbereitung zu analysieren und zur Prozessverbesserung beizutragen.

Produktdetails

Produktvorstellung

Überprüfen Sie das gesamte Bild in 4 Minuten und scannen Sie einen Bereich von 100 mm x 100 mm in einer 50-Mikrometer-Auflösung

　　IntensivLichtDas Scan Defect Imager ist eine erweiterte Version des Laserstrahleninduktionsstromtests (LBIC). Es nutzt einen Laserstrahl mit einer Wellenlängenenergie, die größer ist als der Halbleiterspalt, um Halbleiter zu bestrahlen und Elektronen-Loch-Paare zu erzeugen. Durch das schnelle Scannen der Probenoberfläche erhalten Sie eine Bildverteilung, die Veränderungen des internen Stroms aufzeigt, um eine Vielzahl von Fehlverteilungen zu analysieren. Dies hilft bei der Analyse der Qualität der Probenbereitung und hilft bei der Prozessverbesserung.

Eigenschaften

●Scannen der Verteilung des optischen Stroms

●Scannen der optischen Spannungsverteilung

●Scannen der Verteilung von offenen Spannungen und Kurzschlussstromen

●Analyse der Oberflächenverschmutzung

●Analyse der Verteilung von Kurzschlussbereichen

●Identifizierung und Analyse von Mikrorissbereichen

●Analyse der Verteilung mehrerer Träger-Diffusionslängen (optional)

Anwendung

雷射扫描缺陷图谱仪

Photostromverteilung von Siliziumsolarzellen (405 nm)

雷射扫描缺陷图谱仪

6-Zoll-Silizium-Solarzellen-Scan (17 Sekunden)

雷射扫描缺陷图谱仪

Perovskit Solarzellen

雷射扫描缺陷图谱仪

LSD4-OPV Lichtreaktionsstromverteilung

雷射扫描缺陷图谱仪

LSD4-OPV Lichtreaktionsstromverteilung

Ungleichmäßigkeitsanalyse mit einer Auflösung von 50 µm

Messung des Querschnittsverhältnisses Beteiligung/Tor (Querschnittsanalyse)

Hoch wiederholbar (6 Wiederholungen)

Spezifikation

Projekt	Parameterbeschreibung.
Funktion	A. Verwendung von Wellenlängen-Laserstrahlen mit höherer Energie als die Halbleiterbandlücke, um Elektronen-Lochpaare in Halbleitern zu erzeugen, um die Auswirkungen der Entleerungszone auf die internen Stromveränderungen zu erforschen, verschiedene Fehlverteilungen zu verstehen und zu analysieren, als Richtung für die Prozessverbesserung. b. Fähigkeit, die Verteilung des photobiologischen Stroms auf der Probenoberfläche zu scannen. C. Fähigkeit, die Verteilung der Oberflächenspannung der Probe zu scannen. d. Fähigkeit, die Verteilung von offener Spannung und Kurzschlussstrom zu scannen. Fähigkeit zur Analyse der Oberflächenverschmutzung. F. Fähigkeit, die Verteilung der Kurzschlussbereiche zu analysieren. G. Fähigkeit, Mikrorissgebiete zu erkennen und zu analysieren. H. Fähigkeit, die Verteilung von wenigen Träger-Diffusionslängen zu analysieren (optional).
Motivationsquellen	405 ± 10nm Laser 520 ± 10 nm Laser 635 ± 10 nm Laser 830 ± 10nm Laser
Scanbereich	≥ 100mm × 100mm
Laserfleckgröße	In der Nähe des TEM00-Moduspunkts
Kartenauflösung	A. Scanauflösung ≤ 50 µm b. Die Scanauflösung kann über die Software eingestellt werden
Kartenzeit	< 4 Minuten (100mm x 100mm, Auflösung 50um)
Aspekte	60 cm * 60 cm * 100 cm
Software	A. LBIC 3D Visualisierung b. 2D Querschnittsanalyse (Elektrodenlängenverhältnis) c. Analyse der Verteilung der optischen Stromreaktion (in Kombination mit einer Langwellenlängenlaserquelle) d. Datenspeicherung und -export

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