Infrarot-Detektoren der III-V-Familie

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III-V-Familie Langwellen-Infrarot-Detektor Lichtempfindliches Material ist InAsSb, die strengen europäischen Umweltstandards entspricht; 1,8-12 Mikrometer breite Wellenlänge Reaktion, die von kurzen Wellen bis zu langen Wellen Infrarot abdeckt; Keine Kühlung bei Raumtemperatur erforderlich; Die Arbeitsweise ist die Photovoltaik-Detektion, die Vorvergrößerungsschaltung ist einfach. PCI-Lichtleitwellendetektoren im Vergleich zu Cadmium-Quecksilbermaterialen verfügen über gute niederfrequente Rauschieigenschaften und können für die Detektion von Gleichstrom- oder niederfrequenten Infrarotsignalen verwendet werden.

Produktdetails

Infrarot-Detektoren der III-V-FamilieLichtempfindliches Material ist InAsSb, mit einer super-hemisphärischen Eintauchlinse; Die Wellenlängenreaktion beträgt 1,8-12 Mikrometer und verfügt über einen breiten Wellenlängenreaktionsbereich, der von Kurzwellen bis zu Langwellen-Infrarot abdeckt; Keine Kühlung bei Raumtemperatur erforderlich; Die Arbeitsweise ist die Photovoltaik-Detektion, die Vorvergrößerungsschaltung ist einfach. PCI-Lichtleitwellendetektoren im Vergleich zu Cadmium-Quecksilbermaterialen verfügen über gute niederfrequente Rauschieigenschaften und können für die Detektion von Gleichstrom- oder niederfrequenten Infrarotsignalen verwendet werden.

Infrarot-Detektoren der III-V-FamilieHaupttechnische Indikatoren:

Arbeitsumgebungstemperatur: 20 Grad Celsius (Raumtemperatur);

Wellenlängenreaktionsbereich: 1,8-12 µm

Spitzenreaktionswellenlänge: 7,1 Mikrometer;

Spitzenstromreaktionsrate Ri: > 0,14 A/W (typisch);

Spitzendetektivität D*: >7,7x10⁹(typisch);

Reaktionsrate bei 1,8 Mikron: > 10% Spitzenreaktionsrate;

Reaktionsrate bei 12 Mikron: > 10% Spitzenreaktionsrate;

Reaktionszeit: <1,65 nm (typisch)

Verpackung: TO-39;

Eingangswinkel: > 36 Grad

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