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Adresse
Zimmer 409, Gebäude A, 169 Shengxia Road, Pudong, Shanghai
Produktkategorien
Guangzhou Technologie Co., Ltd.
Enlitech CIS/ALS/Lichtsensorwafer-Tester
VerhandlungsfähigAktualisieren am01/27
- Modell
- Natur des Herstellers
- Hersteller
- Produktkategorie
- Ursprungsort
Übersicht
Der SG-O ist ein CIS/ALS/Light-Sensor Wafer-Tester, der eine hochhomogene Lichtquelle und einen halbautomatischen Wafer-Detektor kombiniert. Eine hochhomogene Lichtquelle bietet ein kontinuierliches Weißlichtspektrum von 400 nm bis 1700 nm sowie eine monochrome Lichtausgabe mit einem bestimmten FWHM bei vielen verschiedenen Wellenlängen. Der Detektor kann bearbeitet werden. Single-Chips mit Wafer-Größen von 200mm und Größen größer als 1cm x 1cm. SG-O integriert eine ultra-geräuscharme Heizkarte, die -60 C bis 180 Temperaturbereich von C
Produktdetails
Eigenschaften
Höchst homogene Lichtquelle
Breites Spektrum von UV bis SWIR
Höhengleichmäßigkeit von mehr als 98 % bei Flächen über 50mm x 50mm
Ultrastabile Lichtintensität, die Instabilität < 0,2% bis zu 10 Stunden aufrechterhalten kann
Hoher Lichtbereich bis zu 140 dB
Programmierbare automatische Detektoren
200 mm bis 10 mm Wafer- oder Chip-Verarbeitungskapazität
Genaue und zuverlässige DC/CV- und RF-Messungen
Stabiles funktionales Mikroskopsystem
Integrierte Hardware-Steuerung
Automatische Wafer-Lademaschine
Intelligente Wafer-Karte
Breite Temperatur Low Noise Card
Modulare Karten
-8Breiter Temperaturbereich von 0°C bis 180°C
* Fortgeschrittene CDA-Thermal-Control-Technologie mit hoher Neigung und hoher T-Stabilität
Ultra geringes Rauschen für präzise CIS / ALS / Lichtsensorwafer-Tests
Anwendung
CIS / ALS / Lichtsensorwafer-Test
CIS / ALS / Lichtsensor Wafer Mapping und Effizienzprüfung
ToF-Sensorprüfung
Testen von Laserradarsensoren
InGaAs PD Tests
SPAD-Sensorprüfung
Analoge Parametertest des Lichtsensors:
Quanteneffizienz
Spektrale Reaktion
Systemgewinn
Empfindlichkeit
Dynamischer Bereich
Dunkel Strom / Rauschen
Signal-Rauschverhältnis
Sättigungskapazität
Linearer Fehler (LE)
DCNU (Dunkelstrom-Ungleichmäßigkeit)
PRNU (Ungleichmäßigkeit der Lichtreaktion)
Systemgestaltung
Systemdiagramm des SG-O CIS / ALS / Light-Sensor Testers (Wafer-Ebene). Eine sehr homogene Lichtquelle wird durch den PC-1 gesteuert. Der Lichtausgang wird von der Faser an den optischen Gleichgewichter geleitet, um einen gleichmäßigen Strahl zu erzeugen. Mikroskope und Homogener werden von der automatischen Plattform des PC-1 gesteuert, um Position und Funktion zu wechseln. Das Probersystem ist MPI TS2000 und wird vom PC-2 gesteuert. Auch die Position der Schaltplatte wird vom PC-2 gesteuert. Die Temperatur der Heißklemme kann zwischen -55 °C und 180 °C gesteuert werden und deckt den größten Teil des IC-Testtemperaturbereichs ab. Die Lichtintensität wird durch einen Si-Photodetektor und einen InGaAs-Photodetektor durch Pian-Stromzähler erkannt und kalibriert.
Spezifikation
SG-O bietet eine komplette Spezifikation für alles, was Sie beim CIS/ALS/Lichtsensorwafer-Test benötigen. Im Folgenden finden Sie die wichtigsten Komponenten und ihre Details. Wenn Sie weitere Informationen benötigen, zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren!
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Höchst homogene Lichtquelle
Spektralbereich: 400 nm bis 1700 nm
Farbtemperatur: 3000 K bis 5200 K
Gleichmäßige Beleuchtungsfläche: 42mm x 25mm, Arbeitsabstand > 200mm
Lichtgleichmäßigkeit: über 98%
Kurzfristige Lichtinstabilität: ≤ 1% über 1 Stunde
Langfristige Lichtinstabilität: ≤ 1% über 10 Stunden
Arbeitsabstand zwischen dem DUT und der letzten optischen Komponente: ≥200mm Arbeitsabstand
Einfarbige Lichterzeugung:
10nm FWHM zentrale Wellenlänge:420 nm,450nm,490 nm,510nm,550 nm,570nm,620 nm,670nm,680nm,710nm780nm, 870nm
25nm FWHM zentrale Wellenlänge:1010nm,1250nm,1450nm
45 ± 5nm FWHM zentrale Wellenlänge： 815 nm
Die zentrale Wellenlänge des 50nm FWHM:1600nm
60 ± 5 nm FWHM zentrale Wellenlänge:650 nm
Zentrale Wellenlänge von 70 ± 5 nm FWHM:485nm,555 nm
Zentrale Wellenlänge von 100 ± 5 nm FWHM:1600nm
Außenlichtdurchlässigkeit ≤ 0,01%
Bandpass-Spitzentransmission ≥ 80%
Zentrale Wellenlängentoleranz: (a) ≤ ± 2nm; (b) ~ (g) ≤ ± 5nm
FWHM-Toleranz: (a) ≤ ± 2nm; (b) ~ (g) ≤ ± 5nm
Variable Dämpfer: PC-gesteuerte Auflösung von 3 Jahrzehnten, mindestens 1000 Schritte
Halbautomatische Wafer-Sonde
Wafer-Größe Kapazität: 200 mm, 150 mm, 100 mm Wafer und Single-Chip-Größe größer als 1 cm x 1 cm
Wafer-Bearbeitung: Single Wafer, manuelle Zuführung
Halbautomatisierung: Schritt für Schritt manuelle Ausrichtung und automatische Modellschritte
XYZ 平台
Schlitten XY Fahrstrecke: 210mm x 300mm
XY-Plattformauflösung: besser als 0,5 um
Genauigkeit der XY-Plattform: besser als 2,0 um
Geschwindigkeit der XY-Plattform: langsam: 10 µm/s, schnell: 50 mm/s
Chuck Z Fahrstrecke: 50 mm
Chuck Z Plattform Auflösung: 0,2 um
Genauigkeit der Z-Plattform: ± 2,0 um
Theta Plattform
Theta-Fahrstrecke: ± 5° Bewegungsbereich
Theta-Auflösung: besser als 0,01 Grad
Theta Genauigkeit: 0,1 Grad
Cards
Flachheit ≤ 10um
Wärmebetrieb: -60°C bis 200°C
Scheibenleckage bei 25°C: ≤ 20fA pro Spannung bei 10 V Abspannung bei 25°C
Restkapazität ≤ 95fF
Sondekarte
Sondekartengröße: 4,5 Zoll bis 8 Zoll lang
Abstand zwischen Sondekartenhalter und Preßplatte: ≥ 7,5 mm
Mikrokammer
EMI-Abschirmung: ≥ 30dB im Bereich von 1kHz bis 1MHz
Wechselstromgeräusch: ≤ 5mVp -p
Mikropositioner
Mikroskop
Isolator
Spektrale Strahlenmeter
Spektralbereich: 400 nm bis 1600 nm
Wellenlängenoplösung: 400 nm bis 1000 nm erhöhte Schrittlänge < 1 nm; 1000 nm bis 1600 nm erhöhte Schrittlänge < 3,5 nm
Kalibrierung: NIST Rückverfolgbares Kalibrierungszertifikat
Mehr Spezifikationen
SG-O ist integriert.EnlitechFortgeschrittene optische Simulatortechnologie und MPI-automatisches Sondensystem.EnlitechEine Vielzahl von optischen Optionen zur Erfüllung der Anforderungen des Anwenders für CIS / ALS / Lichtsensorwafer-Tests, einschließlich Wellenlängenbereich, Lichtintensität und homogene Strahlgröße. Mit jahrzehntelanger Erfahrung können wir Kunden bei der Bewältigung der Herausforderungen des Wafer-Tests und der Konstruktionsänderungen von CIS / ALS / Lichtsensoren helfen. Bitte zögern Sie nicht, uns für weitere Informationen zu kontaktieren. Unser professionelles Team wird Ihnen helfen!
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Hauptleistung
Betriebssoftware für SG-O-Systeme. Für hochhomogene Lichtquellensteuerungssoftware bietet SG-O Lichtquellensystemsteuerung und Lichtintensitätsmessung. Labview-Palette, Treiber / DLL-Dateien für die einzelnen optischen Komponenten. Die Software steuert die Plattform, um die Beleuchtung großer Teile in Geräten zu erleichtern. Die Integration von integrierten Links umfasst das Senden / Empfangen von Befehlen wie Chipstepping, Chip-Ausrichtung / Detektion usw.
Bild von CIS/ALS/Lichtsensorchips aus SG-O Mikroskopsystemen
Installationsdiagramm für CIS / ALS / Light-Sensor Wafer
Sondenkopfbild für CIS / ALS / Lichtsensorwafer-Erkennung
SG-O CIS Lichthomogenisator für Wafer-Tester
Optische Simulation und Leistung des SG-O CIS Wafer-Testers
Strahlgleichmäßigkeit, Prüfung der Strahlpunktgleichmäßigkeit mit 42mm x 25mm bei 420 nm, Ungleichmäßigkeit von 1%
Strahlgleichmäßigkeit, Strahlfleckengröße 50mm x 50mm, Ungleichmäßigkeit 1,43%
Einfarbige Lichtintensität in verschiedenen Wellenlängen, von UV bis nahem Infrarot; Die Lichtintensität wird durch ein Si-Radiometer gemessen und der Lichtintensitätsbereich kann für eine Vielzahl von CIS / ALS / Lichtsensor-Testdarstellungen verwendet werden
Einfarbige Lichtintensität in verschiedenen Wellenlängen von NIR bis SWIR, Messung durch InGaAs Radiometer
Die hochhomogene Lichtquelle des SG-O verfügt über einen ultrastabilen Lichtmotor, der eine kurzfristige oder langfristige Lichtintensitätsunstabilität von 0,2% über den gesamten Wellenlängenbereich übersteigt.
Die Abbildung testet die kurzfristige Instabilität der Lichtintensität bei 420 nm monochromem Lichtausgang, die von einem Si-Radiometer für 60 Minuten und einer 1-stündigen Instabilität von 0,12% überwacht wird.
Abbildung zur Prüfung der kurzfristigen Lichtinstabilität bei einer monochromatischen Lichtausgabe von 1250 nm, bei der die Lichtinstabilität 60 Minuten lang mit einem SInGaAs-Radiometer und einer 1-stündigen Instabilität von 0,09% überwacht wird
Testen der kurzfristigen Instabilität der Lichtintensität bei 420 nm monochromem Lichtausgang, die 10 Stunden lang mit einem Si-Radiometer überwacht wird und 10 Stunden mit einer Instabilität von 0,1%
Testen der kurzfristigen Lichtinstabilität bei 1250 nm monochromem Lichtausgang, die 10 Stunden lang mit einem SInGaAs-Radiometer überwacht wird und 10 Stunden mit einer Instabilität von 0,06%
Lichtdämpfer des SG-O-Systems mit einer Lichtausgangsintensität, die über einen PC mit einer Auflösung von mindestens 1000 Schritten gesteuert werden kann
Bedienungsanleitung für automatische Detektoren,SG-O CIS / ALS / LichtsensorWafer-Tester integriertMPISonden, weitere Details finden Sie unterMPIAuf der Website gefunden
Datenquellen: MPI
In das SG-O-Sondensystem ist ein automatischer Single-Chip-Lader eingebaut. Einfache Ladung von CIS / ALS / Light-Sensor Wafers. Das Laden und Entfernen von Wafern ist direkt und intuitiv für den Benutzer. Außerdem ist eine Temperatursteuerung auf der Vorderseite des Laderaums integriert, um die Bedienung zu erleichtern.
Der Wafer-Tester SG-O CIS/ALS/Light-Sensor verfügt auch über eine manuelle Ladefunktion, mit der Wafer manuell von der Haustür aus geladen werden können. Die Vordertür verfügt über eine Sicherheitsmanagementfunktion, die die Temperatur der Schachtel automatisch überwacht und verhindert, dass die Tür während des Tests geöffnet wird, um die Sicherheit der CIS / ALS / Light-Sensor-Wafer und der Benutzer zu schützen.
Die Wärmescheiben des SG-O CIS/ALS/Light-Sensor Wafer Testers regeln die Temperatur durch ein ERS-minimiertes CDA-System effizienter als zuvor. Der Temperaturbereich kann von -80°C bis 180°C (je nach ERA’a-Modell) abdeckt werden. Die Stickstoffreinigung erfolgt mit separaten Ventilen. Für CIS / ALS / Lichtsensorwafer-Tests ist die Zieltemperatur und Stabilität ausgezeichnet und kann in jedem
unter Bedingungen (z.B. Raum).
Die Sondekartengröße kann von 4,5 Zoll bis 8 Zoll lang sein, wie in der Abbildung gezeigt, DUT und SG-O mit einem Arbeitsabstand von mehr als 200 mm für die letzte optische Komponente der hochhomogenen Lichtquelle
Die Sondekartengröße kann von 4,5 Zoll bis 8 Zoll lang sein, wie in der Abbildung gezeigt, DUT und SG-O mit einem Arbeitsabstand von mehr als 200 mm für die letzte optische Komponente der hochhomogenen Lichtquelle
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