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Shanghai TIME Wissenschaftliche Instrumente Co., Ltd.
CVD-Ablagerung
VerhandlungsfähigAktualisieren am12/30
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Übersicht
CVD (Chemical VaporDeposition) ist eine Technologie zur Dünnfilm-Ablagerung. Es bildet eine dünne Folie auf der Oberfläche des Substrats durch die Reaktion des gaschemischen Vorläufers in feste Ablagerungen. CVD wird in den Bereichen Halbleiterherstellung, Photovoltaik, Beschichtung und Materialwissenschaft weit verbreitet.
Produktdetails
CVD (Chemical VaporDeposition, chemische Ablagerung)Es handelt sich um eine Technik zur Ablagerung von Dünnfilm. Es bildet eine dünne Folie auf der Oberfläche des Substrats durch die Reaktion des gaschemischen Vorläufers in feste Ablagerungen. CVD wird in den Bereichen Halbleiterherstellung, Photovoltaik, Beschichtung und Materialwissenschaft weit verbreitet.
Gehäuse:
1, die Oberfläche des inneren Ofens mit einer hochtemperaturigen Aluminiumoxidbeschichtung, die aus den USA importiert wird, kann die Heizeffizienz der Ausrüstung verbessern und die Lebensdauer des Instruments verlängern.
2, Isolationsmaterial mit hochreiner Aluminiumfaser, umweltfreundlicher Energieeinsparung und reduziertem Wärmeverlust
3, Vakuumpumpe und Gasmischsystem befindet sich auf einem beweglichen Gestell, leicht zu bewegen.
4. Hochvakuumflansch, Ventil, Hochvakuumaunrichtung sind auf dem Instrument installiert.
Chemische CVD-AblagerungDie Technologie hat folgende Hauptmerkmale:
CVD kann eine hochreine Folie auf verschiedenen Substratoberflächen absetzen und gleichmäßig dick, geeignet für feine elektronische Geräte und qualitativ hochwertige Beschichtungen.
Die durch chemische Reaktionen erzeugte Folie hat in der Regel eine gute Haftung an dem Substrat, was die Folie während des Gebrauchs nicht einfach abzieht.
Die CVD-Technologie kann eine gleichmäßige Beschichtung auf komplexen Formen des Substrats bilden, einschließlich tiefer Löcher und Schlitze, was besonders wichtig ist für die Herstellung von Halbleitergeräten mit komplexen Strukturen.
CVD eignet sich für die Ablagerung verschiedener Materialien, wie Metalle, Oxide, Stickstoffe, Siliride und andere, um verschiedene Anwendungsanforderungen zu erfüllen.
Durch die Regelung des Gasflusses, der Temperatur, des Drucks und der Reaktionszeit können die Dicke und die Zusammensetzung der Folie genau kontrolliert werden, um verschiedene Materialeigenschaften zu erreichen.
Der CVD-Prozess wird in der Regel bei hohen Temperaturen durchgeführt, was ihn für die Vorbereitung von Materialien geeignet macht, die eine hohe Temperaturbehandlung erfordern, wie Keramik und harte Beschichtungen.
CVD kann eine sehr glatte Folie auf der Oberfläche des Substrats bilden und eignet sich für Anwendungen, die eine hohe Oberflächenqualität erfordern, wie optische Folien und Halbleitergeräte.
Es gibt eine Vielzahl von Varianten der CVD-Technologie, wie Niederdruck-CVD (LPCVD), Hochdruck-CVD (HPCVD), Plasmaverstärkte CVD (PECVD) und andere, die entsprechend den spezifischen Anforderungen den geeigneten Prozess auswählen können.
Gehäuse:
1, die Oberfläche des inneren Ofens mit einer hochtemperaturigen Aluminiumoxidbeschichtung, die aus den USA importiert wird, kann die Heizeffizienz der Ausrüstung verbessern und die Lebensdauer des Instruments verlängern.
2, Isolationsmaterial mit hochreiner Aluminiumfaser, umweltfreundlicher Energieeinsparung und reduziertem Wärmeverlust
3, Vakuumpumpe und Gasmischsystem befindet sich auf einem beweglichen Gestell, leicht zu bewegen.
4. Hochvakuumflansch, Ventil, Hochvakuumaunrichtung sind auf dem Instrument installiert.
Chemische CVD-AblagerungDie Technologie hat folgende Hauptmerkmale:
CVD kann eine hochreine Folie auf verschiedenen Substratoberflächen absetzen und gleichmäßig dick, geeignet für feine elektronische Geräte und qualitativ hochwertige Beschichtungen.
Die durch chemische Reaktionen erzeugte Folie hat in der Regel eine gute Haftung an dem Substrat, was die Folie während des Gebrauchs nicht einfach abzieht.
Die CVD-Technologie kann eine gleichmäßige Beschichtung auf komplexen Formen des Substrats bilden, einschließlich tiefer Löcher und Schlitze, was besonders wichtig ist für die Herstellung von Halbleitergeräten mit komplexen Strukturen.
CVD eignet sich für die Ablagerung verschiedener Materialien, wie Metalle, Oxide, Stickstoffe, Siliride und andere, um verschiedene Anwendungsanforderungen zu erfüllen.
Durch die Regelung des Gasflusses, der Temperatur, des Drucks und der Reaktionszeit können die Dicke und die Zusammensetzung der Folie genau kontrolliert werden, um verschiedene Materialeigenschaften zu erreichen.
Der CVD-Prozess wird in der Regel bei hohen Temperaturen durchgeführt, was ihn für die Vorbereitung von Materialien geeignet macht, die eine hohe Temperaturbehandlung erfordern, wie Keramik und harte Beschichtungen.
CVD kann eine sehr glatte Folie auf der Oberfläche des Substrats bilden und eignet sich für Anwendungen, die eine hohe Oberflächenqualität erfordern, wie optische Folien und Halbleitergeräte.
Es gibt eine Vielzahl von Varianten der CVD-Technologie, wie Niederdruck-CVD (LPCVD), Hochdruck-CVD (HPCVD), Plasmaverstärkte CVD (PECVD) und andere, die entsprechend den spezifischen Anforderungen den geeigneten Prozess auswählen können.
