09,16,2026 4Ansichten
Derzeit haben Halbleitermaterialien und -geräte der dritten Generation einen Übergang von der Forschung und Entwicklung zur Massenproduktion erreicht, in eine Phase der schnellen Entwicklung der Industrialisierung eingetreten und Durchbrüche in verschiedenen Anwendungsbereichen wie Neuenergiefahrzeugen, Hochgeschwindigkeitszügen, 5G-Kommunikation, Photovoltaik und Verbraucherelektronik erzielt. Auf internationaler Ebene beschleunigt sich das globale Kapital in den Bereich von Halbleitermaterialien und -geräten der dritten Generation, die Produktionskapazität steigt erheblich, Unternehmen fusionieren und übernehmen häufig, und die Halbleiterindustrie der dritten Generation befindet sich in der Phase des "Raublaufs" vor dem Ausbruch.
Auf der inländischen Seite, Chinas "14. Fünfjahrsplan" und "2035 Vision Zielkonzept" deutlich vorgeschlagen, dass China beschleunigen wird, um die Industrialisierung des Prozesses der neuen Technologien der dritten Generation Halbleiter neue Materialien repräsentiert durch Siliziumcarbid SiC, Galliumnitrid GaN, die Schaffung einer Reihe von schnell wachsenden neuen Materialien Unternehmen, die nächsten 3-5 Jahre werden die Schlüsselperiode für die Entwicklung der dritten Generation Halbleiterindustrie Chinas sein.
Auf dieser Grundlage hat Hunan Fu Lithium Genuine Technology Co., Ltd. aktiv die Mitarbeiter zur Teilnahme am 29. Mai 2023 am "zweiten Seminar zur Ultrapräzisionsanalyse von Halbleitertechnologien und -anwendungen" veranstaltet, bei dem die Nachfrage der Halbleiterindustrie, die Forschungsdynamik von hochreinen Halbleitermaterialien und der technologischen Fortschritt vertieft werden, um Wissenschaftler und Entwickler der Industrie Ideen zu eröffnen und die gesunde Entwicklung der Halbleiterindustrie zu fördern.
