Halbleiter-integrierte Schaltung Teststation 100fA

In der Charakterisierung von Halbleiter- und Nanoelektronikgeräten, der Durchgangsstrommessung von Transistoren, der Messung der Widerstandsraten von hochwiderstandsfähigen Materialien, den elektrischen Eigenschaften von Nanogeräten, dem Scannsondenmikroskop und anderen Experimenten sind der Leckstrom und der zu messende Strom selbst äußerst klein, wenn die Gerätegröße auf Nanonebene reduziert wird oder das Material sehr dünn ist. Auf dieser Ebene müssen die Experimentatoren Sondenbänder mit Stromen von weniger als 100 fA verwenden, um eine Vielzahl von Geräuschen und Störungen zu bekämpfen, einschließlich thermischer Geräusche, Johnson-1-Geräusche, Vibrationsgeräusche und sogar durch molekulare Ionisierung in der Luft erzeugte Ladungen.