Durchsichtiges Aluminiumoxid auf einer Vakuumwalz-Verdampfungsbeschichtungsmaschine (Al?O?Die Ablagerung des Dünnfilms erfordert die Lösung von Kernproblemen wie der Verdampfung bei hoher Temperatur, die Kontrolle der Oxidationsreaktion und die Gleichmäßigkeit der Aufwicklung. Hier sind die konkreten Umsetzungsprogramme und die wichtigsten technischen Punkte:

1. Prozesslösungsgestaltung

(1)Auswahl der Verdunstungsquelle

Endgültige Wahl:
Verdampfung mit Elektronenstrahl+Plasma-assistierte Reaktionsablagerung (PAR), während der Verdunstung von Aluminium in Sauerstoff gelangt und durch Plasma angeregt wird (RF 13,56 MHzFörderung der Aluminiumoxidproduktion.

(2)Beschichtungssystemkonfiguration

2. Optimierung wichtiger Prozessparameter

(1)Verdunstungskontrolle

Verdampfungsrate von Aluminium:0,5-2 nm/s(durch Elektronenstrom)6-10kV / 100-300mAAnpassung)

Sauerstoffdruck:2×10? 2 - 5×10? 2 Pa(Zu hoch führt zu einer Abnahme der Geschwindigkeit, zu niedrig führt zu unzureichender Oxidation)

Substrattemperatur:80-150℃ (flexible Polymersubstrate erforderlich)<120℃）

(2)Plasmahilfe

(3)Wickelsystemparameter

Rollengeschwindigkeit:0,1-1 m/min(entsprechende Dicke50-500nm）

Spannungskontrolle:10-20N(Vermeidung von Substratdeformationen)

Kühlrollentemperatur:15-25℃ (verhindert Wärmeansammlung)

3. Membranenleistungsregelung

(1)Optische Leistungsoptimierung

Brechungsrate Kontrolle:1.62-1.67(Regelung durch Sauerstoff-Aluminium-Verhältnis)

Methode: Optische Online-Überwachung (550 nmDurchlässigkeit>85%）

Lichtdämpfungskoeffizient:<0.001(Vermeidung von Metall-Aluminium-Rückständen)

(2)Verbesserte mechanische Eigenschaften

Härte:> 8 GPa(durch Ionenstrahlunterstützte Ablagerung)

Haftung: DurchArPlasma Vorbehandlung (50W, 60er Jahre(machenPETOberflächenleistung> 50 mN/m

(3)Verbesserte Blockierleistung

Wasserdampfdurchlässigkeit (WVTR）：<10? 3 g/m2/Tag(Filmdicke erforderlich)> 100 nmohne Nadel)

Prüfmethode: Kalziumtest (85℃/ 85%RH）

4. Typische Anwendungsfälle

(1)Flexible elektronische Verpackung

Bedarf: inPETSubstrat (Dicke)125 μm(oben beschichtet)300 nm Al? Und?Blockierschicht

Verfahren:

Elektronenstrahl verdampft Aluminium (Geschwindigkeit1,2 nm/s）

Sauerstofffluss20sccm，RFLeistung200 W

Rollengeschwindigkeit0,3 m/minSpannung.15 N

Ergebnisse:

Sichtbare Lichtdurchlässigkeit88%

WVTR 5×10?? g/m2/Tag

(2)Photovoltaik-Rückplatte

Herausforderung: Vermeiden Sie Membran-Risse während des Aufwicklungsprozesses

Lösungen:

Segmentierte Ablagerung (pro Zyklus)50 nmIntervallkühlung10s）

hinzufügenSiO?Übergangsschicht (Dicke)10nmReduzierung des inneren Stresses

5. Häufig gestellte Fragen und Antworten

6. Technologie-Upgrade-Richtung

(1)Synergie mit mehreren Verdampfungsquellen

Al + MgZusammenverdampfen: VorbereitungMgDopingAl?O?Verbesserung der dielektrischen Leistung

Dynamische Blende-Technologie: Erreichung von Quermembrandickengradienten (für optische Filter)

(2)Intelligente Steuerung

Maschinelles Lernen optimiert:

Eingang: Echtzeitdaten über Verdampfungsgeschwindigkeit, Sauerstoffdruck und Durchlässigkeit

Ausgang: automatisch einstellbarRFMachtPIDParameter

Das digitale Zwillingssystem:ANSYSSimulation der Wärme beim Aufwickeln-Kraftkopplungseffekt

(3)Umweltschutz

Aluminium-Recycling-System: Kondensatplatte sammelt nicht abgesetztes Aluminium, Recyclingrate>90%

Niedriger Energieverbrauch: Impulsplasma (Leerverhältnis)30%(Reduzierung)40%Energieverbrauch

Schlussfolgerung:

Die Erreichung einer hochwertigen transparenten Aluminiumfilm auf einer Vakuumwalz-Verdampfungsbeschichtungsmaschine erfordert die Kontrolle der Ausreichenheit der Oxidationsreaktion und der dynamischen Stabilität der Wicklung. Durch die Verdampfung von Elektronenstrahlen in Verbindung mit Plasma wird eine dünne Folie mit hoher Lichtdurchlässigkeit und ausgezeichneten Blockiereigenschaften auf flexiblen Substraten erzielt. Zu den zukünftigen Entwicklungsrichtungen gehören:
① Verbesserte Flächeneinheitlichkeit (Breite)> 2 m）；
② Überdünne kontinuierliche Ablagerung (< 10 nmohne Nadel);
③ mit anderen Funktionen (z.B.SiO?undITOOnline-Komposite Ablagerung.