Hochpräzisionsmechanische Systeme

Präzisionsbewegliche Komponenten: Ein importierter Gleichlinienmotor und ein geschlossenes Schleifensystem mit einem Echtzeit-Feedback-Algorithmus gewährleisten eine nanoständische Wiederholungsgenauigkeit des Schneidwegs. Beispielsweise arbeitet der Bohr-Kern-Doppelachsschieber unabhängig von der Doppelachse mit einer Positionierungsgenauigkeit von ±1 μm.

Stabiles Spindelsystem: Das Spindelsystem verwendet aerostatische Drucklager mit einer Drehzahl von bis zu 60.000 U/min und einem Radialschlag von weniger als 0,1 μm, um eine stabile Leistung für das Schneiden zu bieten, um die Präzision und Stabilität des Schneides zu gewährleisten.

Seiklenbeständigkeit und Festlegung: Seiklenbeständiger Arbeitstisch in Kombination mit Vakuum-Adsorptionsklammern, die Schwingungsstörungen auf Mikronenstufe beseitigen, um sicherzustellen, dass die Wafer während des Schneidprozesses nicht verschoben werden und eine stabile Grundlage für das hochpräzise Schneiden bieten.

Fortgeschrittene Schneidprozesse

Klingenoptimierung: Für verschiedene Halbleitermaterialien wie Silizium, Gallium-Arsenid, Silizium-Carbid usw. können Diamantklingenpartikelgrößen wie das ultrafeine Schleifräder #2000 eingestellt werden, um Schnittflächensprunge zu reduzieren und die Klingenlebensdauer zu verlängern. Die Klingendicke beträgt in der Regel 15-50 μm und die Diamantpartikel werden durch den Galvanisierungs- oder Sinterverfahren an der Nickelstraße befestigt, um die Verschleißbeständigkeit und die Schneideffizienz auszugleichen.

Laserschneidtechnologie: Für ultradünne Wafer oder harte zerbrechliche Materialien wie GaN, Sapphire usw. wird die Laserschneidtechnologie verwendet. Mit 1064 nm Pikosekundenlaser durch die Wafer-Oberfläche auf das Innere fokussieren, durch den Multiphotonen-Absorption-Effekt modifizierte Schichten bilden, und dann durch die Ausdehnung der Membran trennen Sie den Chip, um den physischen Kontakt zu vermeiden, kann die Schneidbahnbreite innerhalb von 10 μm kontrolliert werden, um den Absturzrand zu reduzieren.

Verbundschneidverfahren: Für harte und brüchige Materialien wie GaN und SiC wird ein präziser Mischprozess mit Laservorgravierung + Diamantklingen verwendet, um die Schneidbahnbreite von 50 μm auf 15 μm zu komprimieren, um die Wafer-Auslastung zu verbessern.

Intelligentes Steuerungssystem

Intelligente Regelung der dynamischen Parameter: Intelligentes Messerdruckregelungssystem, das auf der Echtzeitüberwachung des Schneidwiderstands basiert, kann sich an harte und brüchige Materialien wie SiC und GaN anpassen, um die Crash-Kante < 10 μm zu kontrollieren und den Kornverlust zu reduzieren. Gleichzeitig werden die Schnittgeschwindigkeit, die Spindeldrehzahl und andere Parameter entsprechend der Wafer-Dicke und dem Material dynamisch angepasst, um die Schnitttiefenkonsistenz zu optimieren.

Datenrückverfolgung und Systemintegration: Erfassung von Schneidparametern wie Messerdruck, Drehzahl usw. in Echtzeit mit dem Zustand der Anlage, nahtlose Anbindung an MES-Systeme, um die gesamte Prozessqualität zu verfolgen. Die offene Controller-Architektur unterstützt die Cloud-Optimierung von Fernwartung und Prozessparametern, um die Auslastung der Geräte zu verbessern.

Präzises visuelles Positioniersystem

Hochpräzise visuelle Erkennung: Automatische Erkennung des Wafer-Markpunkts durch ein hochauflösendes CCD-Visionssystem mit einer Genauigkeit von bis zu ± 3 μm, Unterstützung der unregelmäßigen Schneidwegplanung und Verringerung künstlicher Kalibrierungsfehler. Während des Schneidprozesses überwacht das visuelle System auch die Schneidposition in Echtzeit, um die Genauigkeit des Schneides zu gewährleisten.