Zweiwegsschwellenschalter (OTS(Geräte)Es ist ein Schlüsselkomponent des Speichers, der sich von einer zweidimensionalen zu einer dreidimensionalen Architektur entwickelt hat, deren Kernstruktur aus einer Elektrode/Schwefelfilm/Elektrode besteht. Unter ihnen ist die Schwefelfolie Ge-Se aufgrund ihrer ausgezeichneten Schalteigenschaften am meisten aufgemerkt.OTS MaterialsystemeDie Preisband-Struktur und die Atomstruktur des Systems in verschiedenen Komponentenbereichen (insbesondere die Selen- und Germaniumreichen) sind jedoch nicht vollständig aufgedeckt worden. Um diese Herausforderung zu bewältigen, hat das Team von Prof. Zhumi Ming von der Shanghai Jiaotong University undSymerfischer TechnologieDie Zusammenarbeit zwischen Shenzhen und China, die NutzungDie ESCALAB QXi XPS PlattformSystematische Untersuchung der Elektronenstruktur und der Schlüsselverteilung von GeGeGeGeGeGeGeDie Die Die Elektronenstruktur und die Schlüsselverteilung von GeGeGeGeEs Es Es Es Es wurden systematisch untersucht. Zusammenhängende Ergebnisse »Röntgenfotoelektronenspektroskopische Analyse von Ge-Se Chalcogeniden» zum Thema veröffentlicht.

Das Team hat eine Rekonstruktionsanalyse der Ge-3D-Kernenergieniveau- und Preisbandstruktur mit hochauflösender XPS durchgeführt und quantitative Zusammenhänge zwischen Veränderungen im Ge-Gehalt, Veränderungen in der Zuordnungsumgebung und Schlüssel-Umverteilungen festgelegt. Die Ergebnisse zeigen, dass das Ge-Se-System drei Arten von Strukturregionen in verschiedenen Komponentenbereichen aufweist: Die Selenreiche Zone (x < 40%) behält eine Ge:Se-Positionsstruktur von 4:2; Die germaniumreiche Übergangszone (x = 40–60%) zeigt eine 3:3 Ge-Se-Konfiguration, die gegen Ge-Ge-Isopolarbindungen konkurriert; Die Germanium-dominierte Region (x ≥ 70%) zeigte mehr als 72% der Bindungen als homopolare Ge-Ge-Bindungen.

Darüber hinaus wurde durch die Preisbandspektralanalyse auch die Trennung der Selenkette und die Bildung verschiedener Arten von Ge-Se-Bindungen sowie homopolarer Ge-Ge-Bindungen gefunden. Diese Ergebnisse etablieren die Komponente-Struktur-Beziehung in Ge-Se-Sulfide und zeigen, dass die OTS-Leistung durch fehlervermittelte Schlüsseltechnik optimiert werden kann, indem die Einbindung von Ge kontrolliert wird.

Die Studie vertiefte nicht nur das Verständnis der Elektronik von Schwefelmaterialien Ge-Se, sondern lieferte auch neue Ideen für das Design von leistungsstarken OTS-Materialien und die Entwicklung zukünftiger Hochdichte-Speichertechnologien.

Abbildung 1. Serie Ge_xSehen_{1 bis x}Ge3d-Kernenergiekarte für dünne Filme mit der Entwicklung der Komponenten

Abbildung 2. Preisbandspektralanalyse Serie Ge mit XPS_xSehen_1−xPreis-Elektronik-Struktur der Film

Abbildung 3. XPS-Preisbandspektrumvergleich von selenreichen Proben und germaniumreichen Proben

Seymour fliegtDas ESCALAB QXi XPS SystemSeine hohe Auflösung und hohe Empfindlichkeit bieten eine zuverlässige technische Unterstützung für die Analyse von Atomstrukturen. Diese Erkenntnisse vertiefen nicht nur unser Verständnis der Entwicklung der elektronischen Struktur des Ge-Se-Systems, sondern bieten auch neue Ideen und Ansätze für das Design von zukünftigen Hochleistungsspeichermaterialien. Symerfly wird sich weiterhin engagieren, wissenschaftlichen Forschern fortschrittliche Instrumente und Lösungen zur Verfügung zu stellen, die den Fortschritt der wissenschaftlichen Forschung unterstützen.