Dünnfilm AblagerungEs ist eine Schicht, die auf dem Hauptsubstrat des Halbleiters beschichtet wird. Diese Schicht kann eine Vielzahl von Materialien enthalten, wie Siliziumdioxid, Halbleiterpolykristallines Silizium, Metallkupfer usw.Dieses Gerät, das zur Beschichtung verwendet wird, wird als Dünnfilm-Ablagerungsgerät bezeichnet.

In Bezug auf den Prozess der Herstellung von Halbleiterchips befindet sich er im Vorfeldprozess.

FolienherstellungsprozessNach seiner Membranformungsmethode kann in zwei Kategorien unterteilt werden:Physikalische Gasphase-Ablagerung (PVD) und chemische Gasphase-Ablagerung (CVD),VonDer Anteil von CVD-Prozessgeräten ist höher.

Physikalische Gasphase-Ablagerung (PVD)bezeichnet die Vergasung der Materialquelloberfläche und die Ablagerung auf der Substratoberfläche durch Niederdruckgas/Plasma, einschließlich Verdunstung, Spritzen, Ionenstrahlen usw.;

Chemische Gasabscheidung (CVD)Es bezieht sich auf den Prozess der Ablagerung einer festen Membranschicht auf der Siliziumoberfläche durch chemische Reaktion durch Gasmischung, die je nach Reaktionsbedingungen (Druck, Vorläufer) in Normaldruck-CVD (APCVD), Niederdruck-CVD (LPCVD), Plasma-Verstärkung-CVD (PECVD), hohe Dichte-Plasma-CVD (HDPCVD) und Atomschichtabsetzung (ALD) unterteilt ist.