Optimierung des Gerätedesigns

Installation des Fokusrings: Der Fokusrings, der um den Wafer-Rand herum installiert ist, kann den Höhenunterschied zwischen dem Wafer-Rand und der Elektrode ausfüllen, um die Schicht flacher zu machen, um sicherzustellen, dass Ionen die Wafer-Oberfläche vertikal bombardieren können, um Verzerrungen zu vermeiden und somit die Gleichmäßigkeit der Verzerrung zu verbessern.

Optimierte Verteilung des Reaktionsgases: Verbesserung der Erosionsgleichmäßigkeit durch die Optimierung der Injektionsweise des Reaktionsgases. Beispielsweise entwickelt sich die Art und Weise, wie Silizium-Gravierkammern Gas von der Wafer-Umgebung an über der Wafer-Mitte injizieren können.

Anpassung des Abstands zwischen den oberen und unteren Polarplatten: In einer kapazitiv gekoppelten Plasma-Kammer (CCP) ist der Spalt zwischen der Katode und der Anode ein entscheidender Parameter, der die Ionendurchflussgemäßigkeit beeinflusst. In der Regel ist je kleiner der Spalt, desto besser ist die Gleichmäßigkeit des Plasmas, und die Einstellbare Spalttechnik kann die Ionenstromverteilung nach verschiedenen Prozessbedingungen optimieren.

Partitionierte Temperaturregelung: Die Wafer-Temperatur ist ein Schlüsselfaktor, der die Gleichmäßigkeit der Erosion beeinflusst, und die Elektrostatische Schaltplatte (ESC) kann die Temperaturgleichmäßigkeit durch die Einführung verschiedener Heiz- oder Kühlbereiche optimieren, wie z. B. von der frühen Einfachbereichstemperatur zu einer Zweibereichstemperatur, einer Vierzonestemperatur oder sogar zu mehr als 100 lokalen Heizelementen, um die Genauigkeit der Temperaturregelung weiter zu verbessern.

Prozessparametereinstellung

Optimierung der Gaszusammensetzung und der Injektionsmethode: Anpassung der Injektionsposition des Hauptreaktionsgases oder Injektion des Regulierungsgases an verschiedenen Stellen, um die chemische Umgebung der Gasphase auf dem Wafer zu kontrollieren und die Erosionsgleichmäßigkeit zu verbessern.

Erhöhung der HF-Leistung: Die angemessene Verbesserung der HF-Leistung kann die Energie der einfallenden Partikel erhöhen, so dass sie die Zieloberfläche vertikaler bombardieren, wodurch der Unterschied in der Gravurgeschwindigkeit der Seitenwand verringert wird, was zur Verringerung des Mikrogriffeffekts und zur Verbesserung der Gravurgleichmäßigkeit beiträgt.

Durchführung intermittenter Gravur: Durch den periodischen Unterbrechungsgravierungsprozess kann die Elektronen genügend Zeit zur Flucht haben, um den Ladeeffekt erheblich zu verringern und somit die Gravurgleichmäßigkeit zu verbessern.

Kompensative Prozesssteuerung: Wenn die Gravurgeschwindigkeit eines Schrittes im mittleren Bereich schneller ist, kann dies durch eine Erhöhung der Rand-Gravurgeschwindigkeit kompensiert werden, z. B. durch eine präzise Steuerung mit BevelEtch.