GaNLED-Array-Fertigung: Xiamen Zhongcore Crystal Research Semiconductor Co., Ltd. verwendet das Plasma-Ätzsystem NordsonMarchRIE-1701 zur Herstellung von Galliumnitrid (GaN)-Leuchtdioden-Arrays (LEDs) mit SF6-Plasma. Schneiden Sie den 2-Zoll-Sapphire-basierten GaNLED-Extension-Chip in einen 1cm x 1cm-Chip und verwenden Sie Cu als Maskenmaterial, das durch UV-Lithographie modelliert wird. Die Auswirkungen verschiedener HF-Leistungen und Trägersubstrationen auf die Geschwindigkeit des GaN-Ätzes sowie die durch Ätze verursachte Oberflächenrauheit wurden während des Ätzes untersucht. Schließlich wurde ein LED-Array mit hoher Dichte gefertigt, das die Ätzhomogenität und die Oberflächenrauhe durch das Hinzufügen eines Trägersubstrats verbesserte und die Kontaktimpedanz zwischen Metall und GaN nach einer hohen Temperatur verringerte.

Fortgeschrittene Chip-Vorläuferprozess-Gravur: Primonanova von MICRO ® Induktiv gekoppelte Plasmagravierungsgeräte für die gravierung von Halbleitergeräten von 7 nm, 5 nm und höher. Das Gerät verwendet eine induktiv gekoppelte Plasmagravierungstechnologie, die eigenständiges geistiges Eigentum besitzt, und verfügt über ein innovatives Design wie eine vollständig symmetrische Reaktionsräume und eine ultrahohe Pumpgeschwindigkeit. Es kann für eine Vielzahl von Leitergravierungsprozessen verwendet werden, wie z. B. für die Isolierung von flachen Trennen (STI) und die Gravur von Polykristallinen Siliziumgorten; Es kann auch für die Mediengravierung verwendet werden, wie SpacerEtch (SpacerEtch), um eine breitere Prozessfenster für die Chipfertigung zu bieten, um niedrigere Herstellungskosten zu erzielen, die bereits auf mehreren Kundenproduktionslinien funktionieren und eine stabile Leistung zu erzielen.

8-Zoll-Wafer-Gate-Gravur: Bei der 8-Zoll-Wafer-Gate-Gravur wird ein Composite-System mit der GXS-Kombination in Kombination mit einer Plasmagraviermaschine verwendet. Die Produktionsdaten der Chipschmießfabrik zeigen, dass diese Kombination den Vakuumgehalt der Gravumkammer bei 5 x 10-4 mbar stabilisieren kann, so dass SiO2-Gravumgeschwindigkeiten von 1200 Å / min erreichen und ein Gleichmäßigkeitsfehler von ≤ 1,5% in der Scheibe besteht. Im Vergleich zu den zuvor verwendeten Öldichtungspumpen sank die Fehlerquote nach dem Gravum von 0,35% auf 0,08% und die jährliche Produktionskapazität einer einzelnen Anlage erhöhte sich um etwa 2300 Plätze.

Halbleiterkupfer-Verbindungsprozess: Im Halbleiterkupfer-Verbindungsprozess wird die Metalloxidschicht mit einer Plasmagraviermaschine behandelt. Durch einen spezifischen Prozess können die Oxidschichtrückstände auf <0,5 nm kontrolliert werden, was die Prozessqualität effektiv verbessert. In Wafer-Verpackungen erhöhte sich die gute Leistungsrate nach dem Einsatz des Prozesses von 92% auf 99,6%.