Die Bekämpfung von Mikron-Resistenzen ist eine zentrale Herausforderung bei der Sicherstellung der hohen Dichte der Interkonnektivität von PCBs (gedruckten Leiterplatten). Die Plasmaentklebemaschine ist mit ihrer berührungslosen, homogenen und präzise steuerbaren physikalisch-chemischen Synergie eine Schlüsseltechnologie für die Lösung dieses Problems.
Seine Lösung spiegelt sich hauptsächlich in den folgenden drei Aspekten wider:
1. Widerspruchsgravur und präzise Steuerung der Größe
Hochenergetische Ionen im Plasma können unter Antrieb eines elektrischen Feldes nahezu vertikal die Oberfläche der Lochwand bombardieren. Diese gezielte Bombardierung ermöglicht eine chemische Reaktionsgeschwindigkeit in vertikaler Richtung, die deutlich höher ist als in horizontaler Richtung, wodurch eine omnidirectionelle Gegengeschlechtsgravur erzielt wird. Dies ist besonders wichtig für die Reinigung von tiefen, mikroblinden Löchern oder Schlamm auf dem Boden des Durchgangslochs, es kann die Rückstände effektiv entfernen und gleichzeitig die Substrate wie Glasfasern der Seitenwand des Lochs vor übermäßiger Erosion schützen, die Geometrie und die Größenpräzision der Löcherwand aufrechterhalten und "Übererosion" oder "Seitenerosion" vermeiden.
Tiefe Synergie zwischen physikalischem Bombardieren und chemischen Reaktionen
Das Wesen der Plasmareinigung besteht in der Synergie zwischen physikalischem Spritzen und chemischen Reaktionen.
Physikalisches Spritzen: Hochenergetische Ionen (z. B. Ar+) treffen direkt durch kinetische Energie, um die verbleibenden Makromolekularen Koloide zu "brechen" und zu sputtern, insbesondere bei nicht-polaren, dicht vernetzten hartnäckigen Rückständen.
Chemische Reaktion: Aktive freie Radikale (z. B. O+, F+) reagieren chemisch mit organischem Klebstoff und zerlegen ihn in flüchtige kleinemolekulare Gase wie CO2, H2O und werden durch ein Vakuumsystem abgepumpt. Zum Beispiel kann das Sauerstoffplasma Kohlenwasserstoffe effektiv oxidieren.
Die physikalische Wirkung "zerbricht", die chemische Wirkung "zerbricht", beide arbeiten zusammen, um sicherzustellen, dass der Schlamm von der Poren bis zur Porenwand, sogar in Submikron-Spalten, gleichmäßig entfernt wird.
3. Verfeinerte Plasma-Regulierungstechnik
Moderne Plasmaentklebemaschinen ermöglichen die "maßgeschneiderte" Entfernung von Mikron-Schlack durch präzise Regulierung der Prozessparameter:
Gasformulierung: Gasgemisch O₂/CF4 oder O₂/Ar. O₂ ist für die chemische Oxidation verantwortlich, die durch CF4 erzeugten freien Fluorradikalen verstärken die Erosion komplexer Polymere und Ar verstärken die physikalische Bombardierung. Das Verhältnis kann genau auf die Zusammensetzung des Schlamms angepasst werden.
Leistungs- und Druckregelung: Niedriger Luftdruck kann die Plasmadichte und den durchschnittlichen Freiraum der Ionen erhöhen und die omnidirektionale Gegenseitigkeit verbessern; Die geeignete HF-Leistung steuert die Reaktionsaktivität und die Erosionsgeschwindigkeit, um ein optimales Gleichgewicht zwischen effizienter Reinigung und Schutz des Substrats zu erzielen.
Zusammenfassend, Plasma-Entklebemaschine durch heterogenen Gravur, um die Lochform zu erhalten, durch physikalisch-chemische Synergien, um tiefe Reinigung zu erreichen, ergänzt durch feine Prozessparameter Regulierung, grundlegend gelöst die traditionelle feuchte Methode der Entklebemaschine in den Mikroporen leicht zu produzieren Rückstände, schlechte Gleichmäßigkeit, die Umwelt verschmutzen die inhärenten Mängel, zu einer hohen Dichte, hohe Zuverlässigkeit in der PCB-Herstellung.