bei Semicon* Unternehmen, die Wafer-Bearbeitungslösungen für Halbleiter-, Mikroelektromechanische Systeme (MEMS) und Nanotechnologieanwendungen anbietenEVGFeierlich vorgestellt für hochhelle Leuchtdioden (HB-LEDsVollautomatisches Maskenausrichtungssystem der zweiten Generation für die Serienproduktion.

Gen II in der ersten GenerationEVG620HBL wurde ein Jahr später eingeführt und bietet eine Werkzeugplattform, die hauptsächlich zur Erfüllung von HB-LEDsDie spezifischen Bedürfnisse der Kunden und die ständige Forderung des Marktes, die Gesamtbetriebskosten zu senken. Darüber hinaus optimiert der EVG620HBL Gen II den Werkzeugfußabdruck der Wafer-Fabrik – eine um 55 % höhere Wafer-Produktion pro Quadratmeter Reinraum im Vergleich zu den Konkurrenzprodukten.

  HBLGen II ist speziell für große MengenFür kundenspezifische Anforderungen in einer Mengenfertigungsumgebung entwickelt, einschließlich der folgenden Merkmale:

  ▲Das erweiterte Mikroskop unterstützt die automatische Maskengrafiksuche, wodurch Maskeneinstellungs- und Austauschzeiten weiter verkürzt werden – beide Verbesserungen sind entscheidend für die Unterstützung der kontinuierlichen Geräteproduktion in einer Massenproduktionsumgebung (HVM).

  ▲Das aktualisierte Roboter-Handling-Layout-Design verfügt über eine Wafer-Mapping-Funktion, die die Anforderungen an Wafer-Rückverfolgbarkeit unterstützt;

  ▲Verbesserte Ausrichtungsfähigkeit (Linienausrichtung) durch die Verwendung von MarkierungseinheitenLEDsPositionierung des Gitters, anstatt die Ausrichtung von Markierungen erforderlich, die wertvollen Platz auf dem Wafer einnehmen;

  ▲Reduzierter Systemaufwand, wodurch die Gesamtbetriebskosten optimiert und der Wafer-Index pro Fußabdruck erhöht werden.

Diese wesentlichen Funktionsverbesserungen des EVG620HBL Gen II im Vergleich zu den Konkurrenzprodukten haben zu einer 20-prozentigen Senkung der Bearbeitungswafer-Einheitskosten geführt und einen hohen Wafer-Durchsatz in der Industrie erreicht, der bis zu 165 Sechs-Zoll-Wafer pro Stunde produzieren kann (im ersten Druckmodus bis zu 220 Wafer pro Stunde).
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