Dieser Kunde ist ein professioneller Anbieter von Substraten für die Technologie GaN on Sapphire der dritten Generation. Das Unternehmen entwickelt adaptierte Substrate basierend auf unterschiedlichen Chip-Anwendungsbereichen und ihren Ausdehnungstechnischen Eigenschaften und bietet eine umfassende Lösung für Substrate für Galliumnitrid-Geräte durch grafische Strukturgestaltung, verschiedene Materialkombinationsanwendungen, Prozessrealisierung usw.

Derzeit umfassen die Hauptprodukte des Unternehmens 2 bis 6 Zoll grafische Sapphire Substrate (PSS), grafische Composite Substrate (MMS), die hauptsächlich für Beleuchtung, Anzeige, Hintergrundbeleuchtung, Mini/Micro LED、 Bereiche wie tiefe UV-LEDs. Das Unternehmen hat ein Forschungs- und Entwicklungszentrum für Halbleiterunterlagen-Engineering in der Provinz Guangdong gegründet, um die nächste Generation von GaN-fortgeschrittenen optoelektronischen Gerätetechnologien für Unterlagen und Extension-Integration zu entwickeln, um GaN-Leistungsgeräte für Saphirunterlagen und andere technische Forschung durchzuführen.

FR-Scanner Membrandickenmesser ist eine Messung der sichtbaren Lichtinterferenz im Wellenlängenbereich von 370-1020nm, die die Membrandicke im Bereich von 12nm-100um mit einer Genauigkeit von bis zu 0,1% oder 1nm mit einer Genauigkeit von 0,02nm messen kann, ist eine Plattformverschiebungsgenauigkeit, die die Membrandickenmessungsgerät mit mehreren Punkten-Mapping-Messfunktionen erreicht, basierend auf 8 "Proben mit einer schnellsten Messgeschwindigkeit von bis zu 300 Punkten pro Minute.