Anric TechnologienGegründet im Jahr 2014 von renommierten Experten von Harvard ALD-ProzessProfessor Roy GordonForscher gegründet, um den Markt zu füllenKleine Desktop Atomschicht AblagerungDie Lücke (ALD-Geräte) ist die Bereitstellung von Werkzeugen für die Konstruktion und Optimierung von Universitäten, Start-ups, Unternehmen, die die Technologie der Atomschichtenablagerung (ALD) erforschen, Pilotproduktionslinien starten und professionelle Hersteller.

Das Unternehmen konzentriert sich auf die Forschung von ALD-Prozessen und -Anlagen und seine Kerntechniker sind von der Universität Harvard, die umfangreiche Erfahrung im ALD-Prozess sammeln, um Kunden komplexe Prozessmaßgeschneiderte Lösungen anzubieten.Kleine Proben und Low-Budget-BenutzerOptionen.

Atomschichtersatzung ist eine spezielle chemische Gasphase-Ablagerungstechnik, die eine Methode ist, durch die abwechselnde Durchführung von Gasphase-Vorläufern in die Reaktionskammer und eine gashärtende chemische Reaktion auf der Ablagerungssubstratoberfläche zur Bildung eines Dünnfilms erfolgt. ALD ist in der Regel eine Halbreaktionsfolge von A und B, mit Eigenschaften der Oberflächen-Selbstbegrenzung, mit ausgezeichneter dreidimensionaler Koformität, großer Flächeneinheitlichkeit, submonoschichtlicher Membrandickenkontrolle und niedriger Wachstumstemperatur.

Das ALD-Wachstumsprinzip besteht darin, Schicht für Schicht auf der Substratoberfläche durch abwechselnde Ablagerung von Reaktionsvorflächern abzulegen.

Ein Ablagerungszyklus der Atomschicht kann in vier Schritte unterteilt werden:

1. Eintritt in den ersten Vorläufer: Der erste Vorläuferpuls wird in die Reaktionskammer eingeführt, damit er mit der Substratoberfläche chemisch adsorbiert wird;

2. Reinigung von Inertgasen: Reinigung der Reaktionskammer mit Inertgasen (wie Stickstoff oder Gas), um den nicht reagierten ersten Vorläufer und die Nebenprodukte der Reaktion zu entfernen;

3. Durchführung des zweiten Vorläufers: Der zweite Vorläuferpuls wird in die Reaktionskammer eingeführt, damit er mit dem ersten Vorläufer, der an der Substratoberfläche adsorbiert ist, chemisch reagiert, um einen dünnen Film zu erzeugen;

Wiederholung des Inertgases: Wiederholung des nicht reagierten zweiten Vorläufers und Nebenproduktes mit Inertgas.

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