Cornell University SiliziumOptische ModulatorenForschung durchbrochen

Cornell University Zui hat kürzlich einen Durchbruch im Bereich der optoelektrischen Integration gemacht, sie haben erfolgreich eine Mikronenstufe von Silizium geforschtOptische ModulatorenFrüher auf SiliziumElektrooptischer ModulatorAlles ist in Millimetergröße und es ist schwierig, eine optische Integration im praktischen Sinne zu erreichen. Obwohl GaAs-Modulatoren klein sind, unterstützen sie nicht gut die aktuellen Silizium-integrierten Schaltungen. Die gestern veröffentlichte Zeitschrift Nature veröffentlichte einen Artikel von Cornell Assistant Professor Michal Lipson. In dem Artikel beschreiben sie eine ringförmige Resonanzkammer, eine Struktur, in der ein Gleichwellenleiter und ein Parkwellenleiter miteinander gekoppelt sind, deren Durchmesser ein Ganzzahl der Wellenlänge erlaubt, wenn er spezifisch ist. Die Ringresonanzkammer, die im Artikel verwendet wurde, hat einen Durchmesser von 12 Mikron und passt genau zu der Wellenlänge von 1576nm. Der äußere Umfang dieser Ringstruktur ist ein negativ dotierter Siliziumring, der eine PIN-Struktur mit dem Innenring bildet. Wenn eine Spannung an den PN-Knoten hinzugefügt wird, werden Elektronen und Löcher in den Wellenleiter eingespritzt, wodurch die Wellenleiterbrechung und die Resonanzfrequenz geändert werden, was den Durchgang und die Blockierung des Signals bestimmt. Der Schlüssel zu diesem Design ist die Einführung von ringförmigen Wellenleitern, die die bisher benötigten Langwellenleiter ersetzen. Die Autoren stellten fest, dass eine Spannung von 0,3 V den Modulator gut steuern kann. In diesem Test wurde eine Modulation von 1,5 Gbps erreicht.
Der Artikel trägt den Titel 'Micrometer-scale Silicon Electro-Optic Modulator.' Mitverfasser sind auch Qianfan Xu und Bradley Schmidt von Cornell sowie Sameer Pradhan von Intel.

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