In Bereichen wie Halbleiter, Mikronanobearbeitung, optische Beschichtungen und Neuenergiematerialien ist die Herstellung hochwertiger Folien der Eckpfeiler der Geräteleistung. Das Plasma-verstärkte chemische Gasphase-Ablagerungssystem, das mit seiner Plasma-verstärkten Wirkung eine effiziente Ablagerung von hochwertigen Dünnfilmen bei relativ niedrigen Temperaturen erreicht, ist zu einer Schlüsselprozessausrüstung in der fortgeschrittenen Fertigung und Forschung und Entwicklung geworden.

　　PECVD-SystemeDer Kern der Technologie liegt in der Nutzung der Plasmaaktivität. Durch Anregung des Reaktionsgases (Vorläufers) in einem Vakuumhöhre in einen Plasmazustand wird eine große Anzahl hochaktiver Ionen, Elektronen und freier Radikale erzeugt. Diese aktiven Gruppen reduzieren die Aktivierungsenergie, die für chemische Reaktionen erforderlich ist, erheblich und bieten damit zwei Hauptvorteile:

1, niedrige Ablagerungsfähigkeit: Im Vergleich zu herkömmlichen thermischen CVD, die Hunderte von Grad Celsius oder sogar Tausende von Grad Substrattemperatur erfordern, kann der PECVD-Prozess in der Regel die Ablagerung von Dünnfilmen bei mehreren Hunderten von Grad Celsius oder sogar weniger erreichen. Diese Eigenschaft ermöglicht es, weit verbreitet auf hochtemperaturbeständige Substrate wie Kunststoffpolymere, Chips für fertige metallisierte Schaltungen und flexible elektronische Substrate zu verwenden, was die Anwendungsszenarien erheblich erweitert.

Ausgezeichnete Folienqualität und einstellbare Eigenschaften: Die von PECVD hergestellte Folie hat dichte, gleichmäßige, starke Haftung und eine gute Stufenabdeckung. Durch die präzise Steuerung von Parametern wie Plasmaleistung, Luftdruck, Gasdurchflussverhältnis und Temperatur können Spannungen, Brechungsverhältnisse, elektrische Eigenschaften (z. B. dielektrische Konstanten) und chemische Messverhältnisse der Dünnfolie effektiv reguliert werden, um den unterschiedlichsten Anwendungsanforderungen gerecht zu werden.

PECVD-Systeme können zur Herstellung einer Vielzahl von Folien verwendet werden, einschließlich, aber nicht beschränkt auf:

Siliziumnitridfilm: als ausgezeichnete Passivierungsschicht, Maskierungsschicht und Dielektroschicht, weit verbreitet in integrierten Schaltkreisen und Solarzellen.

2, Siliziumdioxidfilm: als häufig verwendete Isoliermedienschicht.

3. Nichtkristallines Silizium / Mikrokristallines Siliziumfilm: für Dünnfilm-Transistoren und Dünnfilm-Solarzellen.

4. Diamantähnliche Kohlenstofffolie: für Verschleißbeständigkeit und Abriebsschutzbeschichtung.

Das PECVD-System kombiniert erfolgreich eine hohe Abscheidegeschwindigkeit, eine hervorragende Folienqualität und milde Prozessbedingungen. Sein Auftreten ist ein großer Sprung in der Technologie der Dünnfilmzubereitung und bietet eine starke technische Unterstützung für die Entwicklung der modernen High-Tech-Industrie.